一种硅微波功率三极管的失效分析.pdfVIP

第 1期 李兴鸿等 ：一种硅微波功率三极管的失效分析 2 失效机理分析 从器件 的共基极等效电路来理解 ．由于 eb间 偏置电压低 。cb间偏置电压高 。在小信号工作条 2．I器件工艺和工作原理 件下，只要输入电压有很小变化，输入及输出电流 器件内部由MOS电容芯片及键合丝组成 的寄 就有很大变化 。所 以输入功率小、输出功率大，器 生电感构成输入阻抗匹配网络．匹配网络与 2个并 件起功率放大作用：并且输入功率主要 由eb回路 联的NPN芯片相连。NPN芯片是硅外延平面结构 ， 承受、输出功率主要 由cb回路承受。 芯片单元采用 自对准重掺杂As的n型多晶硅发射 2．2 输 出功率与耗散功率的关系 区工艺．发射极 由多晶硅及其上的金属硅化物构 成 。芯片布线材料采用 Au。芯片最终减薄到约 器件规范中输入功率为 2OW．输出功率P0最 110Ixm。背面金属化后作为集 电极 。自对准结构 大 140W，集电极转换效率 叼大于 50％，总耗散 减少 了基区厚度 ．减少 了交叠电容．降低了基区及 功率最大 51W．集电极最大电流为 8A。结温 175 收集区的串联 电阻。芯片背面采用金锡锑合金焊料 ℃，最大工作 比D=15％。脉冲宽度 500Ixs，频率 范围540～610MHz 来焊接粘片，正面采用 33Ixm金丝键合互连 。33 m金丝的典型熔断电流为 0．9～1A 在此微波频率下 ，我们从复数阻抗 XL= 及 器件为共基极应用 ．原理图如 图 1所示 ，LC网络 Xc=l／toC可以看出．直流和低频时可以忽略的寄生 电感 、寄生电容等都将起重要作用 。在微波领域 。 为内匹配网络示意图。共基极小信号的应用等效 电 信号的输入输出、偏置等所用的元件都与低频时的 路见图2．图中未含匹配网络 。共基极接法 的优点 不同；功率的测量与我们经常接触的电压、电流测 是输人阻抗小、输出阻抗大、频率响应好 。 量方式不 同．是一种能量测量的概念 。 根据能量守恒定理．各种功率都是由电源提供 的．电源提供的功率等于输出功率与器件消耗的功 率之和。直流转换为交流的能力用转换效率 叼来 描述。 一 交流输出功率 一 Po rl、 _龟 蓰 丽 摹一—Pc+—Po Pc为器件 自身消耗的功率。被称为耗散 (损) B B 功率。由式 (1)可以得出： 图 1 器件 电路原理 图 Po= L Pc (2)