混合稀土cu-l合金薄板内氧化制备弥散铜ic框架材料研究.pdfVIP

摘 要 论文题目：混合稀土 Cu-Al 合金薄板内氧化制备弥散铜 IC 框架材料 研究 专 业：材料学 研 究 生：杨争 指导教师：田保红 教授 摘 要 Al O 弥散强化铜基复合材料不仅具有良好的导电性、导热性，高的室温强 2 3 度，而且高温强度同样优越，广泛用于引线框架、电真空器件和电阻焊电极等。 在众多制备方法中，用内氧化法制备的Al O 弥散强化铜复合材料性能良好，但 2 3 目前尚存在工艺复杂、生产周期长、成本昂贵等问题。 本文采用以工业氮气中的余氧作为内氧化介质将 Cu-Al 合金和 Cu-Al-RE 合 金在管式炉中直接进行内氧化，工艺过程简单。本文研究了温度、时间及混合稀 土(Ce+Y)对 Cu-Al 合金内氧化动力学的影响；研究了内氧化法制备的 Cu-Al2O3 和 Cu-Al O /(Ce+Y) 复合材料的导电率、显微硬度、抗拉强度和并进行了显微组 2 3 织观察，分析了(Ce+Y)对复合材料性能和显微组织的影响；并研究了 Cu-Al O 2 3 和 Cu-Al O /(Ce+Y) 复合材料显微硬度随退火温度的变化规律，及导电率、显微 2 3 硬度和抗拉强度随变形量的变化关系，揭示了 Al O 弥散强化铜复合材料的高温 2 3 软化和再结晶行为，为该类复合材料的制备和广泛应用提供依据。 结果表明：在相同的内氧化温度条件下，添加稀土的 Cu-Al 合金内氧化层厚 度明显比未添加的内氧化层厚度大，表现出明显的催渗效果，其中 Cu-Al- 0.1(Ce+Y)薄板在 950ºC×2h 内氧化的氧化层厚度为363μm ，比未添加的 Cu-Al 内 氧化层厚度增加了 60% ；内氧化成功制备了 Cu-Al O /RE 复合材料，HREM 和 2 3 TEM 分析和计算表明，经内氧化制备的 Cu-Al O /RE 复合材料在基体上生成了 2 3 弥散分布的细小的 γ-Al2O3 颗粒，颗粒粒径约为 5nm~10nm ，颗粒间距约为 10nm~30nm，在晶内和晶界弥散分布，与基体保持完全共格或半共格关系；适 量稀土元素(Ce+Y) 的加入提高了 Cu-Al2O3 复合材料的显微硬度和抗拉强度和软 化温度。Cu-Al O /0.05(Ce+Y) 复合材料的软化温度比未添加稀土(Ce+Y) 的 Cu- 2 3 Al2O3 复合材料的软化温度提高了 100ºC，达到 800ºC 。变形量和混合稀土比例 对 Cu-Al O 和 Cu-Al O /(Ce+Y)复合材料的软化温度和再结晶温度影响不大；冷 2 3 2 3 轧变形使 Cu-Al2O3 复合材料的显微硬度和抗拉强度得到了大幅度提高，且随着 变形量的增加而增加。经 950ºC×2h 内氧化制备的 Cu-Al O 复合材料经 80%冷变 2 3 I 摘要 形后，显微硬度和抗拉强度分别增加了 45HV 和 168