氧化锡纳米晶及掺铜薄膜的结构和光学性质研究.pdf

摘 要 摘 要 SnO 作为一种新型的n 型直接宽禁带氧化物半导体功能材料，由于其特殊 2 的物理与化学性能，在很多领域具有广阔的应用前景。本文以水热法制备的氧化 锡纳米晶和溶胶-凝胶法制备的氧化锡及其铜掺杂纳米薄膜为研究对象，采用X 射线衍射、高分率电镜、拉曼光谱、紫外-可见吸收光谱等手段，研究了其制备 生长、结构特性以及光学特性。研究工作的主要成果如下： 1. 水热法制备的氧化锡纳米晶生长机制及光学性质 o 在热处理过程中，晶粒生长存在两个阶段：500 C 以下晶粒依靠吸收周围非 晶成分长大，所需激活能只有 7.3kJ/mol ，晶粒生长速度缓慢，并且晶粒不存在 晶格缺陷。随着热处理温度的提高，晶粒以相近纳米晶相互熔合的方式长大，晶 粒生长所需激活能较大，达到19kJ/mol，晶粒生长速度迅速，生长时的不完全取 向粘结形成了位错。 不同粒径的氧化锡纳米颗粒的拉曼光谱显示A 1g(633cm-1)随晶粒尺寸减小而 向低波数移动和谱峰不对称展宽的现象，归因于声子限制效应，理论计算与实验 数据吻合。 样品紫外-可见吸收光谱的吸收边随粒径减小有明显的蓝移。这种蓝移归因 于量子限制效应。在325nm 波长的激光激发下，氧化锡纳米晶在可见光区520nm 处发光，且随着颗粒的尺寸的减小，其发光强度增强，来源于表面缺陷。 2. 溶胶-凝胶法制备的氧化锡纳米薄膜及其铜掺杂薄膜 o 薄膜样品的X 射线衍射图谱和高分辨电镜表明，500 C 热处理后的纳米薄膜 已经结晶，薄膜厚度为90nm 。铜的掺入并没有改变氧化锡的晶体结构，薄膜样 品仍为金红石结构。 利用紫外-可见光谱仪对薄膜的反射率进行测试，发现氧化锡及其掺铜薄膜 对280nm 的紫外光有很强的反射。在乙醇的气氛中，氧化锡及其掺铜纳米薄膜 的反射率出现降低，气敏特性并不明显。研究了氧化锡及掺铜发光光谱，主发光 峰在420nm 左右，随着掺杂量的增加，其发光强度逐渐减小。 关键词：氧化锡；X 射线衍射；拉曼图谱；紫外-可见图谱；薄膜 I Abstract Abstract Tin oxide (SnO ) is an n-type semiconductor with direct wide band gap. 2 Nanostructured SnO has broader application prospects duo to its special physical and 2 chemical properties comparing to bulk, so it has attracted great interest in recent years. In this thesis, tin oxide nanocrystals and copper doped tin oxide thin films were discussed. They were synthesized successfully by hydrothermal and sol-gel method and the corresponding structural, crystal growth process and optical characteristics were studied by X-ray diffraction (XRD) 、high-resolution