用200kv高分辨电子显微镜辨认3c—sic中的硅和碳原子.pdfVIP

维普资讯 第 26卷 第 2期 电 子 显 微 学 报 Vo1．26．No．2 20o7．04 2007年 4月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 文章编号 ：1000．6281(2007)02—0085—05 用 200kV高分辨电子显微镜辨认 3C—SiC中 的硅和碳原子 唐春艳 ，李方华 ¨，王 蓉 (1．北京凝聚态物理 国家实验 室，中国科学院物理研究所 ，北京 100080； 2．北京科技大学材料物理系，北京 100083) 摘 要 ：用200kV六硼化镧灯丝的高分辨 电子显微镜拍摄 了外延生长在硅衬底的3C．SiC薄膜的[1l0]显微像 。经 过解卷处理和衍射振幅校正 ，把实验像转换为直接反映晶体投影结构 的结构像 ，近邻 Si、C原子柱显现为黑(灰)的 像点时 ，即所谓的哑铃 。测量了结构像 中不同厚度 区域 哑铃 的灰度 变化 ，分析 了哑铃 中二个端点的相时灰度值 随 厚度 的变化关系，结合赝弱相位物体近似像衬理论进行分析 ，辨认 出Si与 C原子柱。 关键词 ：高分辨 电子显微像 ；解卷处理 ；赝弱相位物体近似像衬理论 ；3C．SiC薄膜 中图分类号 ：0766 ．1；TB383；TN304；TG115．21’5．3 文献标识码 ：A 在制备高功率高频器件方面，碳化硅 (SiC)是一 体中轻重不同的原子像衬随晶体厚度 的变化规律 ， 种有前景的二维半导体纳米材料 ，具有宽带隙、高临 成为从像上辨认不同原子的理论依据。关于解卷处 界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度等特点。 理和赝弱相位物体近似 的论文均已发表 ，本文 尽管在 si衬底上生长 3C．SiC薄膜有助于将 SiC的 将不赘述 ，以下仅在适当处予以简略说明。 优 良性能与si的成熟工艺相结合 ，然而二者的点 3C．SiC的晶体结构为闪锌矿类型，点阵参数 0 阵失配大 ( 20％)，且热膨胀系数差别甚大，在 si = 0．436nm。图 1给 出 3C．SiC的立体结构模 型 (a 衬底上生长的3C—SiC薄膜中常有高密度的缺陷 ，如 图)和 【11O]投影结构模型(b图)。这类型半导体 晶 失配位错 、堆垛层错b]、微孪 晶4【及反 向畴 ] 体 中的位错主要沿 110方 向，面缺陷则在 {111} 等，这些缺陷可能对基于 SiC的电子器件的性能带 面上 ，所 以用于研究 3C．SiC缺陷的高分辨像应沿 来严重影响。 110方向投影 ，沿此方 向的投影 图中si与 C原 虽然高分辨电子显微术是研究缺陷结构 的有效 子 的最近距离为 0．109nm。图 2是 3C．SiC晶体 的 一 幅[110]高分辨像 ，左下的衍射图是像 的傅里叶变 途径 ，可是3C．SiC晶体 中 si与 C原子的最近距离 换 。尽管此像摄于 Seherzer聚焦条件附近 ，但未能 很小 ，只能用超高压高分辨电子显微镜 (以下简称电 直接反映晶体的投影结构 (注意像中的 白点不代表 镜)分辨开这两个原子 ，中等 电压 (200kV与 300