用化学镀改善多孔硅的金半接触质量.pdfVIP

第37卷 第4期 电 子 器 件 V01．37 No．4 2014年8月 ChineseJoumaIofElectronDevices Aug．2014 ImprovedMetal-SemiconductorContactsonPorousSiliconbyElectrolessNickelPlating YUFeng，LIAOflake，QUYejun，GUOAnran，LIWei (1．SchoolofOptoelectroniclnformation，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，China； 2．StateKeyLaboratoryofElectronciThinFilmsandIntegratedDevcies，Chengdu610054，China) Abstract：Poroussilicon(PS)hasemergedasahighopticalsensitivematerialformakingSi-photoelectronic detectorsandphotovohaic solarcells．In ordertoimprove thequality ofmetal—semiconductorcontactson PS，the poroussilicon wasfabricated by electrochemicaletchingtechnique，and the metal electrodeswereplated by electrolessnickelplatingordepositedbyphysicalvapordeposition(thermalevaporationandmagnetronsputtering)． ExperimentswereperformedtoexaminethemorphologiesandI-Vcharacteristicsofthesecontacts，andtheroleof therapidannealingtreatmentonthequalityofthecontactswasalsodiscussed．Theresuhsindicatedthatthemetal— semiconductorcontactplatedbyelectrolessnickelplating，with arapidannealingtreatment，performsanexcellent ohmicbehaviorandgivesalowspecificcontactresistance(10一l-I·cm )． Keywords：electrolessplating；metal—semiconductor contact；I—V characteristics；specific contactresistance； poroussilicon EEACC：2550F doi：10．3969／j．issn．1005—9490．2014．04．002 用化学镀改善多孔硅的金半接触质量术 余 峰 ，廖家科 ，渠叶君 ，郭安然 ，李 伟 (1．电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054；2．电子科技大学光电信息学院，成都 610054) 摘 要 ：多孔硅是一种具有优 良光吸收特性的表面微结构材料，在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有 良好的应用前景。 为了改善金属／多孔硅电接触质量 ，通过电化学腐蚀制备多孔硅，对比研究了化学镀与物理气相沉积 (热蒸发、磁控溅射)工艺 制备出的金属电极界面结构，测试了相应，一 特性 ，并讨论了快速退火对金半接触质量的影响。研究结果表明，用化学镀工艺 在多孔硅表面制备金属电极，经快速退火处理后，能得到较低比接触电阻(10 Q·cm)的欧姆电接触。 关键词 ：化学镀；金半接触；，一 特性；比接触电阻；多孔硅 中图分类号：0649；TN301．2 文献标识码 ：A 文章编号：1005-9490(2014)04—0591-06 早在 1956年，贝尔实验室的Uhlirs等