特殊纳米结构的相法合成、表征与光致发光性能的研究.pdfVIP

特殊纳米结构的相法合成、表征与光致发光性能的研究.pdf

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特殊纳米结构的相法合成、表征与光致发光性能的研究

特殊纳米结构的液相法合成、表征与光致发光性能的研究 摘 要 实现纳米材料微观形貌、组织结构及其性能的精确控制,是当前纳米材料 研究领域的难点和热点之一。本论文以无机纳米功能材料为研究对象,分别用 溶剂热合成法、低温/高温电化学沉积法制备了几种特殊形貌的纳米结构,研究 了实验参数的改变对其形貌、结构和发光性能的影响。本论文主要包括以下几 方面工作: 1.利用二次阳极氧化的方法,在浓度为0.3M的草酸电解液中,于40V, 0—5℃条件下制备了高度有序的双通氧化铝模板(AAM),并用场发射扫描电 镜(FESEM)对其形貌进行了表征,详细地介绍了二次阳极氧化法制备有序氧 化铝模板的工艺、有序孔阵列形成的机理以及影响模板有序性及孔径大小的因 素。特别是作者提出了一种去除纳米氧化铝模板背面金属镀层的方法及装置, 该发明方法由于巧妙地利用了现有的磁力搅拌器,将去除纳米氧化铝模板背面 金镀层的手工操作转变为机械操作,在显著提高工作效率的同时大大降低了操 作人员的劳动强度,同时可以有效避免模板在去除金属镀层时的破损问题。另 外,该装置还能够方便的回收纳米氧化铝粉末,以提高其利用率。高质量的模 板为我们后面的实验创造了良好的条件。 别用硫脲和硫代乙酰胺作为硫源,在180℃的水热反应釜中制备了CdS纳米 棒,样品的FESEM照片显示CdS纳米棒聚集成树状结构。分析结果表明,硫 源对CdS纳米棒的尺寸和光致发光性能有重要影响,通过改变硫源可以实现对 样品尺寸和性能的调控。最后,探讨了硫脲和硫代乙酰胺对CdS纳米棒形成机 理的影响。 3.利用电化学沉积方法在不同孔径的AAM中制备了Ni/AAM纳米线阵 列复合薄膜,分析了Ni纳米线的直径对Ni/AAM复合薄膜的光致发光性能 nm之间有一个很强 的影响。实验结果表明:Ni/AAM复合薄膜在350-500 的发光峰带;植入AAM中的Ni纳米线对复合薄膜的光致发光性能的影响 非常明显,相比于AAM发光峰位和发光强度,Ni/AAM的发光峰位出现了蓝 移现象,发光强度出现下降,并且随着Ni纳米线直径的增加,蓝移量不断增 加而发光强度逐渐减弱。对于这种现象,目前尚不清楚其产生的机理,有待进 一步研究,初步分析认为是与Ni纳米粒子与阳极氧化铝模板的相互作用以及 Ni纳米粒子对光的吸收有关。另外,其它非辐射能量传递作用也可能导致 Ni/AAM复合薄膜发光强度的下降。 4.在70℃水浴槽中,采用电化学沉积法直接在多晶Zn片基底上沉积了 ZnO纳米薄膜,通过改变沉积电流获得了不同微观形貌和PL性能的纳米薄膜。 实验结果表明:ZnO纳米薄膜的微观形貌随着电流的增大而变化,由片状转变 成颗粒状,并且其尺寸随着电流的增大而不断减小。ZnO纳米薄膜的室温PL 谱表明ZnO纳米薄膜都有两个发光峰,分别属于本征发光峰(407nm)和缺陷发 光峰(550nm),其中ZnO纳米片的缺陷发光峰强度远大于其本征发光峰的强度, 说明ZnO纳米片中的缺陷很多,而ZnO纳米颗粒的本征峰的强度却大于其缺 陷峰,表明ZnO纳米颗粒的晶体质量较ZnO纳米片的好。最后,我们对ZnO 纳米薄膜的形成机理进行了初步探究,分析了实验中对产物形貌和性能产生影 响的因素。 发光 and Liquid.phase ofNovel Photoluminescence Properties ABSTRACT areto controltheir thecurrentnanomaterials focusesof precisely Theresearch and aimof isf

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