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摘要 摘要 HEMT 温度可靠性是HEMT器件可靠性研究的重要方面。对于AIGaN／GaN 器件在高温下的特性及可靠性表现，国内外都已经进行了大量的相关研究及报道， 试验的手段以及对结果的机理分析相对成熟，而关于低温特性的试验与分析则非 常少见。所以本文着重研究AIGaN／GaNHEMT器件的低温电学特性。 2DEG在超低温下的浓度和迁移率。在4．2K温度下，当磁场强度接近4T时，出现 舒伯尼科夫．德哈斯振荡。通过分析SdH曲线得到了许多2DEG的重要信息，观察 到了量子霍尔平台，推算出了电子的有效质量及量子散射时间。 HEMT器件，在 制备了栅长为lpm，栅宽为1009m的SiC衬底AIGaN／GaN 300K到88K的温度范围内进行电学特性测试。发现器件饱和漏极电流随温度降低 而显著增加。低温下AIGaN／GaN异质结表面与界面的散射机制发生变化，使2DEG 迁移率升高。阈值电压随温度降低略微向负向漂移。测量了正反向肖特基电流， 随温度降低呈现出先下降然后升高的趋势。原因是肖特基势垒高度随温度下降而 有所降低，增加了电子隧穿几率，进而提高了肖特基电流。 同时，AlGaN／GaN HEMT器件在低温下特性的表现还包括沟道导通电阻和输 出电导降低，最大跨导值升高，以及输出曲线有更明显的拐点，除了散射机制、 材料陷阱等因素外，还与源、漏串联电阻在低温下的改变有关。 AIGaN／GaN 关键词： HEMT二维电子气低温特性 Abstract iii Abstract isan ofHEMT reliabilityimportantaspect reliabilityresearch．People Temperature have made of andstudiesaboutthecharacteristicsand already experiments plenty of HEMTdevicesunder the AIGaN／GaN hightemperatures，and reliability methodand oftheresultshasbecomemoremature measurement analysis relatively． underlow tobe and rare， analysis temperaturealwaysappears However,experiments aboutwhichthisarticle studies． especially weretakenontheAlGaN／GaNonSiC measurements Magnetotransport andmobiwere heterostruct