合金元素改善γtial室温塑性机理的第一性原理计算.pdfVIP

合金元素改善γtial室温塑性机理的第一性原理计算.pdf

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合金元素改善γtial室温塑性机理的第一性原理计算

摘 要 丫.T认l金属间化合物具有高的抗氧化性、高的熔点、低的密度等优点,已经成为航 空、航天及汽车领域极具竞争力的高温合金。但是丫.TiAJ的室温脆性极大地限制了它的 应用。实验结果表明,合金化是提高其室温塑性的有效手段,但其微观机理人们目前并 不清楚。近年来,随着计算机技术和计算材料科学的发展,基于密度泛函理论的第一性 原理方法被广泛应用于探索材料学的微观机理。 .本文用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法计算了合金化前后丫.TiAl的态 密度、重叠布居数、弹性常数和差分电荷密度。计算结果表明,在T.T谢合金中,p-d 极化键的强度、方向性及其所引起的金属键的减少是导致1,.Ti灿本征脆性的原因。 分布更加均匀化,从而能够改善丫.Ti灿的室温塑性,这一结果与实验一致。 取代A1位的合金元素减弱了P.d极化键和舢.灿键的强度,并且其与周围Ti原子 之间形成金属键,从而使丫.Ti趟中的键络分布趋于均匀化。取代Ti原子位置的合金元 素影响P—d极化键的能力比较弱,不能削弱A1.A1键的强度。另外,合金化原子与舢 原子之间形成的P.d极化键减弱了其与Ti原子之间的形成的金属键的强度。因此,总体 上,取代Ti原子位置的合金元素对丫-Ti魁的室温塑性的改善作用并不明显。Si能够减 弱P.d极化键作用,改善晶体价键分布的均匀性,增加金属键的成分,这些都对改善合 金的塑性有利。 H的掺杂减弱了p-d极化键,但也减弱了d-d金属键,并且形成强的H.灿键,使得 丫.Ti砧的塑性恶化。O的掺杂增加了P.d极化键的作用,另外受0.A1键的影响,增加了 丫.TiM的脆性。B、C、N原子的掺杂能够改善丫.Ti触的键络分布的均匀性,减弱了P.d 极化键,这两方面都有利于丫.ml室温塑性的改善。 关键词:DFT,金属间化合物,室温塑性,合金化,第一性原理 Calculationfor Room First-Principles Improving of Elements DuctilityT-TiAIbyAlloying and Science ChengLiang(MaterialsEngineering) DirectedAssociateProf.Lu by Yuxiang Abstract hasa oxidation resistance,a 丫一Ti砧intermetalliccompoundhigh highmeltingpoint,a andon.Ithasbecomeakindof in low SO density greatly high competitivetemperaturealloy the andautomotive of beenhindered areas.However,the aerospace applicationt—Ti~has by thelackof atroom resultshaveindicatedthatthe ducti

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