磁控溅射工艺及火温度对h-bn薄膜的影响.pdfVIP

万方数据 A Dissertation Submitted in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master in Engineering The effect of magnetron sputtering and annealing temperature on h-BN thin films Master Candidate： Gong Tian Major ： School of material and metallurgy Supervisor ： Prof. Wu Jun Wuhan University of Science and Technology Wuhan, Hubei 430081, P.R.China May, 2015 万方数据 万方数据 摘 要 h-BN 具有类似石墨的层状结构，独特的结构使h-BN 具有禁带宽、导热率高、 熔点高、介电常数低、抗热冲击性优良、电绝缘性好等独特的物理化学性质，其 性能较石墨更为优良，具有极高的应用潜力。本文主要研究磁控溅射工艺及退火 温度对h-BN 薄膜的影响。 本论文采用射频磁控溅射法在n 型Si (100) 衬底上制备BN 薄膜，对BN 薄 膜进行AFM 、SEM、FTIR 、Raman 及XPS 分析，研究了氮气流量、负偏压、氢 气流量以及退火温度对BN 薄膜形貌与结构的影响。结果表明： (1) 适量的氮气流量降低了 BN 薄膜的表面粗糙度，提高了薄膜的结晶度； 高的负偏压改变了BN 薄膜的层状生长模式及晶粒取向，诱导了h-BN 向c-BN 的 转变，不利于高质量层状h-BN 薄膜的制备；适量的氢气流量平衡了h-BN 中的缺 陷，抑制了h-BN 向c-BN 的转变，提高了h-BN 薄膜稳定性，利于高质量层状h-BN 薄膜的制备。 (2) 氮气流量、负偏压以及氢气流量显著影响 BN 薄膜的形貌与结构。在 Si 衬底上制备高质量层状 h-BN 薄膜较为优化的溅射工艺条件为：氮气流量为 12sccm，负偏压为0V ，氢气流量为12sccm。 (3) 采取退火方式对h-BN 薄膜进行N 的补充及H 的掺杂。但退火促进h-BN 经E-BN 和w-BN 向c-BN 转变，当退火温度为900 ℃时，h-BN 向c-BN 的转变最 明显，不利于高质量层状h-BN 薄膜的制备。 关键词：磁控溅射；h-BN ；层状生长模式；退火 I 万方数据 Abstract h-BN is a layered structure which is similar to graphite. Due to the unique structure, h-BN has excellent physical and chemical properties and higher practical potentiality, such as wide forbidden bandwidth, high thermal conductivity, high melting point, low dielectric constant, good ther