溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．64，No．16(2015) 168501 溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层和ZITO为 有源层的高迁移率薄膜晶体管术 朱乐永 )2) 高娅娜2) 张建华2) 李喜峰2)十 1)(上海大学材料科学与工程学院，上海 200072) 2)(上海大学，新型显示技术及应用集成教育部重点实验室，上海 200072) (2015年1月6日收到；2015年4月25日收到修改稿) 采用溶胶凝胶法制备了h-k氧化铪Hf02薄膜，经500。C退火后，获得了高透过率、表面光滑、低漏 电流 和相对高介电常数的HfO2薄膜．并采用氧化铪作为绝缘层和锌铟锡氧化物作为有源层成功地制备了底栅顶 接触结构薄膜晶体管器件．获得的薄膜晶体管器件的饱和迁移率大于100am2．V_。．S_。，阈值电压为 一0．5V， 开关比为5×10。，亚阈值摆幅为105mV／decade．表明采用溶胶凝胶制备的薄膜晶体管具备高的迁移率，其 迁移率接近低温多晶硅薄膜晶体管