纤锌矿gan光性质的第一性原理研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文利用第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(COA)平面波赝势 法，对理想GaN以及不同Al、IrI组分下的GaN基三元固溶体化合物的电子结构 和光学性质进行了计算。 论文在简要介绍了GaN材料的物理性质、研究进展状况以及第一性原理基本 理论的基础上，首先计算了在一系列平面波截止动能下的上价带宽度，依据计算 结果的收敛情况，发现当平面波截止动能为600eV时，即可完整描述波函数。我 们在该截止动能下，计算了纤锌矿GaN的晶格常数、能带结构、电子态密度和介 电函数等。发现使用GGA+PBE的算法组合，与实验值符合得很好，得到了与实 验值相符合的晶格常数。但由于采用GGA赝势，导致禁带宽度的计算值比实验 值偏小。 最后，本文对纤锌矿结构GaN晶体模型进行不同比例组分的AI、In加入获 得三元固溶体化合物。分别得到了A1GaN和InGaN的品格常数a和C相对于 Vegard定律的偏异系数和能带弯曲系数，其中AIGaN的偏异系数况与况分别为 数为4．283+0．689eV。 计算结果表明：A1组分的加入使得GaN晶体的光学带隙变宽，Al组分的增 大使得光吸收谱曲线往高能量方向平移；而In组分的加入使得GaN晶体的光学 带隙变窄，hl组分的增大使得光吸收谱曲线往低能量方向平移。该计算结果显示 如果在GaN中同时掺入Al和IIl形成四元化合物可以实现GaN全彩域显示。最 好的性能表现，A1GaN的性能较InGaN更佳，这也使得两种材料作为微波器件及 紫外探测器的基底材料有着非常良好的应用前景。 关键词：第一性原理GaN光电性质弯曲系数 Abstract Abstract Weuse functional the first—principlesdensity theory(DFT)ofgeneralizedgradient wave methodtocalculatetheelectronic approximation(GGA)planepseudopotential solution and ofidealGaNandA1／InGaN solid opticalproperties ternary compounds． it’Sresearch wellasthebasic The ofGaNand physicalproperties progress，as of havebeen introduced． first—principlesbriefly theory Wecalculationthe bandwidthinaseriesof cut·-off upper-valence plane·-wave thatmake600eVas onthe ofcalculation found energy．Basedconvergence results，we thewavefunction．Atthis the cut—off Can describe plane-waveenergycompletely calculatethewurtziteGaNlatt