复掺杂与高温退对zno薄膜的结构和光学性质的影响研究.pdfVIP

摘 要 ZnO是一种重要的直接宽带隙半导体材料。激子束缚能高达60meV，比室温热 离化能26meV高很多，激子不易发生热离化，因而易于实现高效率的激光发射，是 制备短波长发光器件的理想材料。对于一种发光材料，研究如何改善其发光性能对 提高器件的发光效率具有非常重要的意义。而掺杂是影响半导体ZnO薄膜发光特性 的主要手段之一。目前，单一元素掺杂的ZnO薄膜已被广泛研究了，而对其进行复 掺杂的研究还比较少。 在本论文中，为了研究ZnO薄膜的发光机制和复掺杂对ZnO薄膜的结构与光 学性质的影响，我们对ZnO薄膜进行了高温退火与复掺杂处理。研究发现，在同样 高温850℃下退火下，利用电子束蒸发法在Ti02缓冲层上生长的ZnO薄膜与直接在 单晶Si衬底上生长的ZnO薄膜表现出了不同的发光行为：后者不但比前者的绿光 发射要弱，还出现了紫光和蓝光发射。这可能与Ti02缓冲层和ZnO薄膜之间的原 子互扩散运动有关。这项研究结果表明：ZnO薄膜的绿光发射可能主要与ZnO薄膜 中的氧空位缺陷有关，紫光发射与界面陷阱有关，而蓝光发射可能与ZnO薄膜中的 Zn间隙、Ti间隙等缺陷有关。研究还发现，对于溶胶一凝胶法在石英玻璃衬底上生 高了，但当Fe的掺杂浓度进一步提高时，ZnO薄膜的结晶