氧化锌晶体材料制备及其生长机理研究.pdfVIP

论文题目： 氧化锌晶体材料的制备及其生长机理研究 专 业： 材料学 硕士生： 许 文 (签名) 指导教师： 牟国栋 (签名) 摘 要 氧化锌晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能II B一ⅥA族半导体材料，具有 优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。ZnO半导体室温带隙为3．37eV，且束缚 激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的 应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。通过对反应过程 中的加热温度，保温时间以及保温温度的择优选择，并采用合理的实验条件进行实验， 借助于XRD、SEM等仪器对试样进行了分析和研究。 本论文采用化学气相法，以锌颗粒为原料，考察了不同的加热温度、保温时间、保 温温度对ZnO晶体生长结果的影响。 研究结果表明：采用化学气相法在加热温度为300～500℃下进行试验，加热温度对 ZnO晶体的外观形貌有很重要的影响，依据本实验中所获氧