《2.5 GHz低相位噪声LC压控振荡器》.pdfVIP

第38卷第3期 微电子学 VOL38。No．3 2008年6月 Microelectronics Jun．2008 2·5GHz低相位噪声LC压控振荡器 韩斌，吴建辉 (东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京210096) SiGe 摘要： 在0．35 BiCMOS工艺条件下，设计了一个全集成的低相位噪声LC压控振荡器 tan (V∞)。该VCO采用尾电阻结构替代传统的尾电流源结构实现电流控制，以减小尾电流源产生的噪 kI-Iz 声。该vcO的调谐范围为480Ⅲz，可以覆盖2．32～2．8GHz。当振荡频率为2．5GHz时，i00 V，尾 和1MHz频偏处的相位噪声分别为--104．3dBc／Hz和--124．3dm／Hz。振荡器工作电压为5 电流为5mA。工作在2．5GHz时，其100kHz频偏处的性能系数为--178dBc／Hz。 关键词：压控振荡器；SiGe；BiCMOS 中图分类号：TN752 文献标识码：A A2．5GHzLC ControlledOscillatorwithLowPhaseNoise Voltage HAN Bin．WUJianhui (Southeast ASIC Research 210096，P．R．China) University，NationalSystemEngineeringCemer，Na可ing A controlled low noisewas Abstract： oscillator(VCO)with fullyintegratedIX；voltage phase designedusing SiGeBiCMOS thisVC0，insteadofconventionaltailcurrentsource，tailresistorstructure 0．35／an technology．In WasusedforcurrentcontroltOreducenoiseoftailcurrentsource．TheVC0hasa of480MHz。which raise tuning tO isfrom2．32GHz2．8GHz。andachieveslow noiseof一104．3 and一124．3 at100kHzand phase aBc／Hz dm／Hz lMHzoffset from2．5GHzcarrier,Theoscillatordraws5mAfrom5V frequency supplyvoltage．Thefigure-of- is merit(FOM