《7.5 V高精度BiCMOS电压调整器的设计》.pdfVIP

第39卷第2期 微电子学 V01．39，N0．2 2009年4月 Microelectronics Apr．2009 7．5V高精度BiCMOS电压调整器的设计 袁小龙1，历晓华2，吴晓波1 (1．浙江大学超大规模集成电路设计研究所，杭州310027；2．浙江大学网络与信息中心，杭州310027) 摘要： 提出一种应用于有源功率因数校正控制芯片的7．5V高精度线性电压调整器的设计。 由于采用了多种改进措施，包括片上微调电阻网络的应用，该调整器具有良好的电压调整特性和很 BiCMOS工艺设计 高的温度稳定性。此外，调整器还集成了过流保护功能。该电路采用1．5肛m ITLrn×0．63 mA 实现，面积为0．42 mm。测试结果表明，在12V供电电压下，当负载电流在0--20 范围内变化时，其负载调整率达23％／A。片上微调电阻的应用使其可获得很低的温度系数。 关键词： 线性电压调整器；负载调整率；微调电阻；BiCMOS；过流保护 中图分类号：TN433 文献标识码：A ofa7．5V PrecisionBiCMOS Design High VoltageRegulator YUAN Xiaob01 Xiaohua2，WU Xiaolon91，LI 310027，P．RClzina； (1．InstituteofVLSIDesign，Z_IlejiangUniversity，Hangzhou and 310027，P．R．China) 2．NetzoorkingInformationCenter，ZhejiangUniversity．Hangzhou Abstract：A7．5V Iinear was was tOanactive highprecisionregulatorproposed，whichsuccessfullyapplied pow_ er{actorcorrection(APFC)controller resistornet— chip．Theproposedimprovements，includingon-chiptrimming thecircuithaveexcellentload and work，make regulationperformancegoodtemperaturestability．Inaddition，all over-currentcircuitwasalSo intothe devicewas andfabricatedin1．5 protection integratedregulator．Thedesigned BiCMOS anareaof0．42mmXO．63ram．Testresultsshowedthatthecircuithad tan technology．Thechipoccupies aload of whe