《Design of radiation hard phase-locked loop at 2.5 GHz using SOS-CMOS》.pdfVIP

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2015-12-09 发布于河南
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《Design of radiation hard phase-locked loop at 2.5 GHz using SOS-CMOS》.pdf

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《Design of radiation hard phase-locked loop at 2.5 GHz using SOS-CMOS》.pdf

of Journal andElectronics Sy8temsEngineering V01．20，No。6，2009，PP．1159-1166 of radiationhard Design phase—locked at GHz 2．5 SOS—CMOS loop using PaShaPratim Ghosh，LuMingyuJ帆9Sungyong Electrical Texasat Dept．of Engineering，Univ．ofArlington，Arlington，TX76019，USA (ReceivedApril15，2009) on Abstract：Aradiationhard at2．5GHz silicon phase-lockedloop(PLL)isdesigned using sapphirecomplemen- hardnessis circuit metal-oxide-semiconductor achieved without tary process．Radiation throughimprovingdesign is a self-biasarchitecture．The10ck ofPLLisminimized real guaranteedby time sacrificingestate．Stability fully by the of oscillatoris enhanced controlled maximizingloopbandwidth．Frequencytuningrangevoltage significantlyby novelload bias siliconon a stages，asynchronousdivider，and sapphire configuration．Inaddition，multiple frequency makethe PLLmoreradiation ofthisPLLissimulatedCadence processjointly proposed hard．Layout by Spectre RFunderboth eventeffectandtotalindu