Mg单原子替位掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性质计算研究.pdfVIP

· 122 · 材料导报 B：研究篇 2015年 9月(下)第 29卷第9期 Mg单原子替位掺杂 I}-Ga203的电子结构和光学性质计算研究 宋庆功，徐霆耀 ，杨宝宝，郭艳蕊，陈逸飞 (中国民航大学理学院低维材料与技术研究所，天津 300300) 摘要 宽禁带半导体 13-Ga2O。因其出色的物理化学性能而备受关注，通过掺杂改善 13-GazOa性能一直是研究 的热点。采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，利用广义梯度近似加u对Mg单原子掺杂~-Ga2Oa体系的晶体 结构、电子结构和光学性质等进行了研究和分析。总能量和结合能的对比显示：单原子替位掺杂~-Ga2Os时，Mg优 先替代八面体位的Ga原子形成 Mg-Gao体系。电子结构显示，Mg-Gao体系变为间接半导体，带隙变窄为4．672 eV；其 自旋极化率为 100 ，呈现半金属特性。作为光学材料，Mg-Gao体系可在紫外、深紫外区域工作，并且折射率、 反射率和吸收率有所降低，透射率明显提高。 关键词 Mg掺杂~GazOa第一性原理 晶体结构 电子结构 光学性质 中图分类号：O471 文献标识码 ：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2015．18．027 AnInvestigationontheElectronicStructureandOpticalPropertyof~-Ga2Oa SingleDopedwithM g-substitution SONGQinggong，XU Tingyao，YANGBaobao，GUOYanrui，CHEN Yifei (InstituteofLowDimensionalMaterialsandTechnology，CollegeofScience，CivilAviationUniversityofChina，Tianjin300300) Abstract W idebandgapsemiconductor3-Ga203hasattractedmuchattentionsofresearchersbecauseofitsex— cellentphysicalandchemica1propertiesandtheeffortstoimprovetheperformanceof31-Ga2Oathroughdopingother elementshasbeenthehotspotofresearchprograms．Thecrystalstructure，electronicstructureandopticalpropertyof Mgdoped8-Ga203werestudiedandanalyzedbyusingGGA+U schemeoffirst-principlescalculationbasedondensity functionaltheory．Thecontrastbetweenthetotalenergiesandbindingenergiesoftwodopingsystemsshow thatMg atom ismoreinclinedtoreplacetheGaatom attheoctahedralsiteinsingleatom dopingprocessresultinginMg-Gao system．Theelectronicstructureindicatesthatthesystem isanindirectsemiconductoranditsenergygapbecomesnar— row，thatis4．672eV．Thespinpolarizationofthesystem is100 ，showingitshalfmetalliccharacters．Asoptical materials，Mg-Gaosystem canworkinultravioletanddeepultravioletregionswithlowerrefractiveindex，reflectivity and