模拟电路 作者 张丽华第1章 ch01-5.pptVIP

1.5 场效应晶体管 1.5.1 绝缘栅场效应管　　 1.5.2 结型场效应管　　 1.5.3 场效应管的主要参数　　 1.5.4 场效应管与晶体管的比较 1.5 场效应晶体管 场效应晶体管（Field Effect Transistor），缩写为FET，简称场效应管。是一种用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件，属于电压控制电流源器件，用VCCS表示。它工作时只有一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。 其主要特点是输入电阻高（达107～1015Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、受温度和辐射影响小，故特别适用于高灵敏、低噪声电路，如各种仪器或电子产品的前置放大电路。 我们把vGS=0时iD随vDS的变化规律用曲线表示如图1-49所示。 综上分析可知： （1）沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。 （2）JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG=0，输入电阻很高。 （3）JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 （4）预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和，基本不随vDS变化。 （3）特性曲线与电流方程 图1-55（a）和（b）分别为N沟道增强型MOS管的输出特性曲线和转移特性曲线。与结型场效应管一样，输出特性曲线也分为四个区域，即可变电阻区、饱和区