模拟电子技术及应用 作者 曹光跃第1章 第2节.pptVIP

* 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 1.2　半导体二极管的特性及主要参数 一、 二极管的结构与符号 二、 二极管的伏安特性 三、 二极管的主要参数 四、 二极管电路的分析方法 第一章　半导体二极管 一、 半导体二极管的结构 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管 符号： VD 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 平面型 正极引线 负极引线 集成电路中平面型 P N P 型支持衬底 第一章　半导体二极管 二、二极管的伏安特性 O uV /V iV /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iV = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth iV 急剧上升 0 ? U ? Uth Uth = (0.6 ? 0.8) V 硅管 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管 0.2 V 反向特性 IR U BR 反向击穿 UBR ? U ? 0 iV = IR 0.1 ?A(硅) 几十 ?A (锗) U UBR 反向电流急剧增大 (反向击穿) 第一章