模拟电子技术及应用 作者 曹光跃第2章 第2节.pptVIP

* 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 2.2　场效应管 二、 结型场效晶体管 三、 场效晶体管的主要参数 一、MOS场效应晶体管 第二章　半导体三极管及放大电路基础 （一） N 沟道增强型MOS场效应晶体管 一、MOS场效应晶体管（IGFET） 1. 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G B 耗尽层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain S G D B 第二章　半导体三极管及放大电路基础 2. 工作原理 （1）uGS 对iD的控制作用 a. 当 uGS = 0 ，D、S 间为两个背对背的 PN 结； b. 当 0 uGS UT(开启电压)时，G、B 间的垂直电 场吸引 P 区中电子形成离子区(耗尽层)； c. 当 uGS ? UT 时，衬底中电子被吸引到表面，形 成导电沟道。 uGS 越大沟道越厚。 反型层 (沟道) 第二章　半导体三极管及放大电路基础 (2) uDS 对 iD的影响(uGS UT) 　　D、S 间的电位差使沟道呈楔形，u