mocvd-zo中间层对非晶硅微晶硅叠层太阳电池性能的影响.pdfVIP

摘要 摘要 非晶硅／微晶硅叠层太阳电池由于可以充分的吸收利用太阳光，比非晶硅基 电池有更高的稳定效率，因而成为新一代低成本硅基薄膜电池。但是，非晶硅／ 微晶硅叠层电池电流受非晶硅顶电池限制，若通过增加顶电池厚度的方法来增 大电流，又会使电池的稳定性降低。将中间层应用于非晶硅／微晶硅叠层电池中， 可以增大顶电池的光生电流，在不增加顶电池厚度的情况下实现顶、底电池电 流匹配，从而提高叠层电池的稳定效率。本文将采用MOCVD法制备的ZnO应 用于P．i．n／p-i-n型的非晶硅／微晶硅叠层电池中作为中间层，研究了ZnO中间层 对叠层电池性能的影响。 首先，研究了40-1500nm不同厚度的本征ZnO中间层对叠层电池性能的 影响。研究结果表明，不同厚度的ZnO中间层的加入都能提高顶电池600--750nm 该波段QE随厚度增大而大幅降低，并均低于不加中间层的顶电池QE；小于 100nm时，加入ZnO中间层的顶电池凹均高于不加中间层的QE，而且随厚 度增大缈有小幅度提高，并且对顶电池电流密度的提高都大于lmA／cm2。对 于底电池的QE均随ZnO厚度增大而降低。进一步研究发现，叠层电池的‰ 和FF随ZnO厚度增大而减小。其原因在于ZnO中间层厚度越大，表面粗糙度 越大，表面的‘V’形谷越深越明显，这导致了在ZnO中间层上生长的微晶硅底 电池中出现裂缝和空洞，使材料结构变得疏松，底电池性能劣化，因此使得整 个叠层电池的‰和FF减小。而当ZnO厚度较小时，表面粗糙度小，相对更 加“平坦”，对微晶硅的生长影响不大，不影响叠层电池‰和FF。因此，考虑 到中间层对叠层电池‰和FF的影响以及对顶电池缈的提高、底电池QF,不 能有太大损失，ZnO中间层厚度在40,-．．60nm为宜。 其次，在上述研究基础上选取了对叠层电池性能影响相差较大的三种厚度 1-5sccm)的ZnO中间层对叠层电池性能的影响。结果发现，ZnO厚度不同时， 不同掺杂水平ZnO中间层对顶电池在600—750nm波段的QE都有提高，但是对 摘要 和500nm时，底电池凹随掺杂水平提高而降低；而ZnO厚度为40nm时，变 化趋势相反。因此，在ZnO厚度较小时，应提高其掺杂水平来对底电池产生有 利影响。进一步研究发现，ZnO中间层较厚时，掺杂使叠层电池的‰减小、 FF增大；较薄时，掺杂对叠层电池圪。和FF没有影响。因此，综合考虑以上 情况，在实验范围内选取B2H6流量5sccm掺杂水平的ZnO中间层以提高叠层 电池性能。 晶硅／微晶硅叠层电池中，优化了微晶硅底电池P层的晶化率，减小了底电池i 层孵化层厚度，使底电池光吸收增强。然后通过沉积背反射电极的方法，使叠 层电池的电流达到匹配。在顶、底电池厚度不变的情况下，加入中间层使叠层 电池顶电池电流密度五咖提高为11．18mA／cm2，提高了12．9％；优化后的底电 关键词：非晶硅／微晶硅叠层太阳电池，MOCVD，ZnO，中间反射层 Ⅱ Abstract Abstract silicontandemsolarcell Amorphous／mierocrystalline new the oflowcostsiliconsolar makefulluseof generation cell，can sunlight,for whatithasa stabilized tothea-Si：Hbasedsolar higher efficiencycompared cell．BU‘ theshortcurrent thetandemcell limitedthe density似c)ofsolarisseverelyby top