多晶硅太阳电池绒和隐性缺陷的电致发光检测.pdfVIP

摘要 近年来，由于多晶硅成本低及其电池效率的不断提高，有逐渐成为晶体硅太 阳电池主流产品的趋势。然而，多晶硅没有统一确定的晶向其绒面较难制备，影 响了多晶硅太阳电池效率的提高。此外，多晶硅晶界多，容易在电池制备过程中 形成隐性缺陷，这些隐性缺陷肉眼不容易识别，如果没有及时剔除将影响多晶硅 电池组件和电站的可靠性。 针对以上两个当前多晶硅太阳电池生产的难题，本文进行了研发，并取得了 以下主要结果： 1、使用HN03：HF：H20=5：1：3的化学腐蚀体系，将反应控制在低温环境 (0-～6C)。多晶硅片在这种体系下反应速率得到了很好的控制。实验表明在腐 蚀一分钟时绒面效果最佳而且不会产生其他附加缺陷，此时多晶硅片表面平均反 射率降低到17．2％，比原始硅片降低了12％，在生长完SiNx减反射膜后平均反 射率降到6．02％。 2、磷吸杂工艺可有效地提高低成本冶金法多晶硅片的少子寿命，但磷吸杂 后因腐蚀掉吸杂层后多晶硅片表面容易被抛光，所以制绒更困难。我们采用两步 腐蚀法：首先使用NaOCI：NaOH(10％)=I：I溶液去除表面吸杂层的同时维持硅片 液中腐蚀一分钟，硅片面形成一层类似“蜂窝”状的绒面织构。两步腐蚀后硅片表 面平均反射率为22．7％，比