气相外延4h-ic薄膜生长的研究.pdfVIP

摘要 捅要 SiC材料具有许多优良性质，已成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究 的热点。本文对同质外延4H．SiCk]延薄膜的生长进行了研究。 本论文课题源自973国家项目，根据课题的具体要求，对4H．SiCk[延薄膜生长 进行了深入的研究，通过理论与生长实验的综合分析来得到关于影响4H．sic夕b延 薄膜生长的关键因素。 首先介绍了几种SiCk[-延薄膜的制备技术，进行了优缺点的比较。其中重点介 绍了同质外延，并对生长实验所用到的热壁化学气相淀积设备VP508的主要构造和 组件性能进行了介绍。 然后研究了外延生长机理，分析了外延参数(如生长温度、生长压力、C／Si 比、反应气流速度和生长面的选择等)对生长的影响趋势。并对如何衡量4H．SiC 外延薄膜表面质量进行了初步分析，总结出几个较为重要的衡量标准：外延薄膜 厚度的均匀度、表面缺陷(特别是微管的存在数量与密度)和杂质掺杂浓度。 最后具体分析了4H．sic#b延薄膜中生长工艺对生长的影响。重点分析了非有 意掺杂中N型杂质浓度的掺杂机理，根据理论分析对将要进行的生长实验提供指导 方向以及改善建议。 利用实验来验证理论