部分绝缘键合si新结构及应用基础研究.pdf

摘要 摘要 基于SOl相关基础理论和技术实践，源自光机电新器件开发需求，在综合Si 良好导热导电与SOI优良隔离特性基础上，本文提出了一种兼具硅和S01优势的 新型部分绝缘键合S01结构，并就其所面临的预键合量化微观作用机理、应用基 础理论和关键工艺技术进行了探讨与分析讨论。 首先，通过对部分绝缘键合SOI预键合3种主要微观作用力的比较研究，获 der 得了平板间Van Waals作用力模型及其计算方法。结果指出，亲水性硅片键合 der 中氢键作用力是主要因素，而疏水性硅片键合中主要因素为VanWaals作用力， 毛细作用和大气压作用则是可忽略的次要因素。 计算表明，疏水性硅片预键合Van 寸硅片，相应键合吸引力是9．73x106N；亲水性硅片预键合氢键作用能约为 193．3mJ／m2；毛细作用力约2．55×1038．49X10～N，毛细作用相关的大气压力系 7．93X102N。 考虑实际情况中存在颗粒、台阶情况下，硅片预键合时封闭的微量气体是键 合不可忽视的不利因素。预键合过程是实际硅片键合面非理想平整性所占百分比 引起的硅