超低介电常数soch薄膜及其与扩散阻挡层相互作用的研究.pdf

摘要 随着器件的特征尺寸不断缩小，集成电路正向高性能和极大规模迈进，由此 导致寄生的互连电阻一电容(RC)延迟迅速增大，制约了集成电路功能的进一步 提高。采用Cu和低介电常数(10w一妨介质代替传统的Al和SiO。互连是降低RC 延迟最有效的途径之一。根据2007年国际半导体技术蓝图(ITRS)的预测，到 2016年22nm集成电路互连结构中电介质薄膜的体材料介电常数将降低至 1．9～2．3，即进入超低介电常数(ULK)范围。然而到目前为止，所制备的ULK 薄膜还远不能满足生产要求，这是因为ULK薄膜的诸多性能面临着工艺整合的挑 战，如力学性能、粘附性等。在此背景下，本论文首先探索了ULK薄膜的制备， 然后研究了铜互连结构中铜扩散阻挡层及其与ULK薄膜之间的相互作用。具体研 究内容包括以下几个方面： 1、以含有环型结构和不饱和碳氢侧链的四甲基四乙烯基环四硅氧烷作为前 驱体材料，采用旋涂技术成膜，并结合紫外辐照，因此制备出了含分子孔桥联 (molecular—pore x10—7 杨氏模量为5．6GPa，漏电流密度为9．86A／cm2@1MV／cm。对薄膜中成键 构型的研究分析发现，MPB-SiOCH薄膜中除含有一定量的(CH。)。SiO，，：(M， 还含有大量的Si-O-Si环型结构、C-C桥联键和叔丁基结构。薄膜中Si原子主 键结构存在。其中，03-Si—C和Si一0。对薄膜力学性能影响显著，0一Si—C。和 10’1 A／cm2 300℃退火可以进一步降低薄膜k值(k=1．94)和漏电流密度(2．96X @1MV／cm)，并且退火后的薄膜仍表现出极强的抗吸水性。通过比较300和400℃ 退火后薄膜的FTIR光谱，发现该薄膜具有较好的热稳定性。总之，从制备工艺、 薄膜性能和工艺整合度等方面，MPB—SiCOH薄膜呈现出了很好的发展和应用前景。 2、研究了WHfN薄膜中Hf的含量对薄膜的电阻率、热稳定性、抗铜扩散性 能的影响，结果表明，增大WHfN薄膜中Hf的含量，薄膜电阻率变大，但降低 u N_CAr流量比有利于获得电阻率4500Q．cm的WlqfN薄膜。当NJAr流量比为 原子比范围为1：0．07～1：0．33)的增加有利于增强薄膜的抗铜扩散性能。WHfN 薄膜的成键构型分析表明，与wN薄膜相比，WHfN薄膜中除了含有w_w金属键和 的形成及含量增加更有利于提高WHfN薄膜的抗铜扩散性能。通过抗铜扩散性能 的对比实验发现，Si衬底上WHfN(10nm)薄膜的抗铜扩散失效温度高达750℃， 比wN(10nm)薄膜具有更强的抗铜扩散性能。进一步地，本论文对 扩散性能均显著优越于Ru(10nm)和Ru(5nm)／wN(5nm)阻挡层。 的成键特性，结果表明了在wHfN／MPB—SiOCH界面除了形成W-O键之外，还形成 了大量的N-Hf一0、Hf-O—Si以及可能少量存在的w-0一Hf成键结构。这使得 了采用WHfN阻挡层与MPB—SiOCH薄膜直接接触具有更好的粘附性能，从而有利 于提高互连的可靠性。进一步，论文以Ru(Snm)／wHfN(5rim)双层结构为扩散阻挡 层，研究了Cu／Ru／wHfN／MPB—SiOCH／Si体系的热稳定性。结果表明该体系在氮气 中450℃退火45分钟后均未发现铜扩散现象，并且该条件下退火后该体系中各 薄膜之间彼此粘附良好。 4、基于B3LYP杂化交换相关密度泛函理论，以ZrCl。或HfCl。和NH。为反应前 驱体，通过量子化学计算，研究了在低血薄膜表面原子层淀积(ALD)ZrN和HfN 阻挡层薄膜的初始反应机理。结果表明，ZrCl。较难在含有Si-CH。和Si—OCH。基团 的表面吸附，而在含有Si—OH或Si-NH。基团的表面上吸附则相对容易许多。薄膜 骨架结构不同可导致反应活化能最高相差9．15kcal／mol，这主要与过渡态时Zr 原子与相邻骨架上的0原子的配位作用有关。NH。对Zr化薄膜表面的氮化是放热 反应，因此适当提高淀积温度，将有利于薄膜的生长。由于氮化产物 氧化处理比进行氮化处理将更有利于ALDZrN薄膜的生长。ALDHfN薄膜在SiOCH 薄膜