《存储器与总线实验》.pptVIP

C,B,A:表示数据通道选通控制信号： A9,A8:表示片选信号： 实验目的： 熟悉存储器和总线组成的硬件电路 实验步骤： 控制信号连接：位于实验装置右侧边缘的RAM片选端（/CE)、写/读线（WE)、地址锁存信号（LDAR）与位于实验装置左上方的控制信号（/CE 、WE、 LDAR)之间对应连接。位于实验装置左中方（C、B、A)与位于实验装置左上方的（C、B、A)对应连接。 实验步骤： 完成上述连接，仔细检查无误后方可进入本实验。 在闪动的“P.”状态下按动增址命令键，使LED显示器自左向右第一位显示提示符“H.”,表示本装置已进入手动单元实验状态。 实验步骤： 内部总线数据写入存储器 给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15，具体操作步骤如下： 实验步骤： 实验步骤： 读存储器的数据到总线上 依次读出第00、01、02、03、04单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作如下： 实验步骤： SRAM芯片 HM6116 大庆石油学院 控制信号的字符串定义： S3-S0: 表示运算器操作选择信号，以控制16种算术运算或罗晶晶运算的一种； S1,S0,M又是移位寄存器的控制信号。 M: 表示运算器方式选择信号，M=0执行算术运算操作；M=1执行逻辑运算操作； /CN :