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模拟电电子技术基础(第四版)童诗白华成英.ppt
2)测试数据 3)数据分析 (1) IE、IC、IB间的关系:IE=IC+IB 符合基尔霍夫定律 (2) IC、 IB间的关系。 从表中第三列、 第四列数据可知: 耗尽型N沟道MOSFET的构造示意图 vGS 0分析过程 当0≤vGS≤VT时,虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层,但负离子不能导电。 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 A、vGS对沟道的控制作用 VGG 由于 绝缘 层很 薄, 即使 电压 很小, 电场 也很大 当vGS比 较小时 由于负 离子不 能自由 移动 不能 导电 当vGS=VT时, 在P型衬底表面形成一层电子层,形成N型导电沟道,在vDS的作用下形成iD。(一般称为反型层,感生沟道等) 当vGSVT时, 沟道加厚,沟道电阻减少,在相同vDS的作用下,iD将进一步增加。vGS越大,导电沟道越厚。 VT称为开启电压 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 A、vGS对沟道的控制作用 vDS iD + + - - + + - - + + + + - - - - vGS 反型层 开始无导电沟道,当在vGS?VT时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型MOS管。 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 A、vGS对沟道的控制作用 B、vDS对沟道的控制作用 当vGS一定(vGS>VT)时 vDS iD 沟道电位梯度 靠近漏极d处 的电位升高 电场强度减小 沟道变薄 整个沟道呈楔形分布 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 iD B、vDS对沟道的控制作用 当vGS一定(vGS>VT)时 vDS iD 沟道电位梯度 当vDS增加到使vGD=VT时,在紧靠漏极处出现预夹断。 在预夹断处 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 B、vDS对沟道的控制作用 当预夹断后 vDS iD基本不变 夹断区延长 沟道电阻 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 沟道被夹断,有电流吗? vDS增加,为何 iD基本不变? C、vDS和vGS同时作用时 vDS一定,vGS变化时, 给定一个vGS就有一 条不同的iD-vDS曲线 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 截止区 1.场效应管的漏极电流是由( ) 的漂移运动形成。 2.场效应管是一种( ) 控制型的电子器件。 B B 小结 ◆沟道中只有一种类型的载流子参与导电,所以场效应管也 称为单极型三极管。 ◆MOSFET的栅极是绝缘的,所以iG≈0,输入电阻很高。 ◆MOSFET是电压控制电流器件(VCCS),iD受 vGS控制。 ◆只有当vGSVT时,增强型MOSFET的d、s间才能导通。 ◆预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后,iD趋于饱和。 3、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 vGS一定时, iD与vDS的变化曲线,是一族曲线 iD=f(vDS)?vGS=C 输出特性曲线 1)可变电阻区: iD与vDS的关系近线性 iD≈ 2 Kn(vGS-VT)vDS Kn—导电因子(mA/V2) 3、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 输出特性曲线 当vGS变化时,rdso将随之变化 因此称之为可变电阻区,表示rdso是 一个受到vGS控制的可变电阻。 可变电阻区条件: ①vGS≥VT 0 ②vDS≤(vGS-VT) 电阻如何变化? 输出特性曲线 2). 恒流区: 该区内,vGS一定,iD基本不随vDS变化而变, 也称为饱和区。 恒流区条件? ②vDS≥ (vGS-VT) 0 ①vGS≥VT 0 vGS, vDS 同为正极性 3、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 1.3.1 晶体管的结构及类型 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 1.3.6 光电三极管 1.3晶体三极管 1.3.4 晶体管的主要参数 (1)共发射极直流电流放大系数 =(IC-ICEO)/IB≈IC / IB ? vCE=const 1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const 1. 电流放大系数 1.3.4 晶体管的主要参数 (3) 共基极直流电流放大系数 =(IC-ICBO)/IE≈IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时,
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