模拟电电子技术基础(第四版)童诗白华成英.ppt

2）测试数据 3）数据分析 (1) IE、IC、IB间的关系：IE=IC+IB 符合基尔霍夫定律 (2) IC、 IB间的关系。 从表中第三列、 第四列数据可知: 耗尽型N沟道MOSFET的构造示意图 vGS 0分析过程 当0≤vGS≤VT时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 A、vGS对沟道的控制作用 VGG 由于 绝缘 层很 薄， 即使 电压 很小， 电场 也很大 当vGS比 较小时 由于负 离子不 能自由 移动 不能 导电 当vGS=VT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在vDS的作用下形成iD。(一般称为反型层，感生沟道等） 当vGSVT时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同vDS的作用下，iD将进一步增加。vGS越大，导电沟道越厚。 VT称为开启电压 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 A、vGS对沟道的控制作用 vDS iD + + - - + + - - + + + + - - - - vGS 反型层 开始无导电沟道，当在vGS?VT时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型MOS管。 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 A、vGS对沟道的控制作用 B、vDS对沟道的控制作用 当vGS一定（vGS＞VT）时 vDS iD 沟道电位梯度 靠近漏极d处 的电位升高 电场强度减小 沟道变薄 整个沟道呈楔形分布 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 iD B、vDS对沟道的控制作用 当vGS一定（vGS＞VT）时 vDS iD 沟道电位梯度 当vDS增加到使vGD=VT时，在紧靠漏极处出现预夹断。 在预夹断处 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 B、vDS对沟道的控制作用 当预夹断后 vDS iD基本不变 夹断区延长 沟道电阻 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 沟道被夹断，有电流吗？ vDS增加，为何 iD基本不变？ C、vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时, 给定一个vGS就有一 条不同的iD-vDS曲线 2、N沟道增强型MOSFET工作原理 截止区 1.场效应管的漏极电流是由( ) 的漂移运动形成。 2.场效应管是一种( ) 控制型的电子器件。 B B 小结 ◆沟道中只有一种类型的载流子参与导电，所以场效应管也 称为单极型三极管。 ◆MOSFET的栅极是绝缘的，所以iG≈0，输入电阻很高。 ◆MOSFET是电压控制电流器件（VCCS），iD受 vGS控制。 ◆只有当vGSVT时，增强型MOSFET的d、s间才能导通。 ◆预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 3、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 vGS一定时， iD与vDS的变化曲线，是一族曲线 iD=f(vDS)?vGS=C 输出特性曲线 1）可变电阻区： iD与vDS的关系近线性 iD≈ 2 Kn(vGS-VT)vDS Kn—导电因子（mA/V2) 3、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 输出特性曲线 当vGS变化时，rdso将随之变化 因此称之为可变电阻区,表示rdso是 一个受到vGS控制的可变电阻。 可变电阻区条件： ①vGS≥VT 0 ②vDS≤(vGS-VT) 电阻如何变化？ 输出特性曲线 2). 恒流区： 该区内，vGS一定，iD基本不随vDS变化而变， 也称为饱和区。 恒流区条件？ ②vDS≥ (vGS-VT) 0 ①vGS≥VT 0 vGS, vDS 同为正极性 3、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 1.3.1 晶体管的结构及类型 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 1.3.6 光电三极管 1.3晶体三极管 1.3.4 晶体管的主要参数 (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const 1. 电流放大系数 1.3.4 晶体管的主要参数 (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，