《材料化学专业实验_终稿》.docVIP

实验一、室温固相反应合成硫化镉半导体材料及差热分析 5 一、实验目的 1、学习室温固相反应法合成半导体材料的方法； 2、了解用热分析方法研究化合物的热稳定性； 3、练习固液分离操作和加热设备的使用。 二、实验原理 室温固相反应是近几年发展起来的一种新的研究领域。利用固相反应可以合成液相中不易合成的金属配合物、原子簇化合物、金属配合物的顺反几何异构体，以及不能在液相中稳定存在的固相配合物等。同时，由于固、液相反应过程中的反应机理不同，有时还可能产生不同的反应产物，因而有可能制得一些特殊的材料。 利用室温固相反应法合成精细陶瓷材料的研究刚刚兴起。与常用的气相法、液相法及固相粉碎法相比，它具有明显的优点，如合成工艺大大简化、原料的用量及副产物的排放量都显著减少；同时由于减少了中间步骤并且是低温反应，还可以避免粒子团聚，有利于产物纯度提高。 CdS是典型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，在颜料、光电池和敏感材料领域有着重要的应用。其常用的合成方法是镉盐沉淀法和气相反应法。本实验用镉盐与硫化钠在室温一步反应法制备CdS，现象明显，反应速度快。合成产物的结构经X射线衍射分折符合JCPDS卡片100454，分别在26.5°、44°、52°处出现最强的衍射峰(见图1)。CdS的热稳定性可用差热分析(DTA)和热重分析(TG)同时分析。图2是CdS在空气气氛中的DTA-TG曲线，555.7℃的放热峰及伴随的增重现象可认为是CdS被氧化生成了CdSO4，382.3℃的微弱吸热峰和伴随的轻微的失重现象可以为是CdS表面吸附物的脱去或少量CdS被氧化成了CdO。由此表明CdS在500℃以下是稳定的，超过500℃即明显被氧化。 图1 合成样品的XRD图 图2 合成样品的DTA-TG图 三、仪器与试剂 仪器 小研钵，离心试管，小坩埚，多用滴管，烘箱，马弗炉，离心机，差热分析仪或X射线衍射仪(或红外光谱仪)。 药品 CdSO4(s)[或CdCl2(s)，Cd(NO3)2(s)]，Na2S(s)，1.0mo1·L-1BaCl2溶液，pH试纸。 四、固相反应原理 固相反应可分为4 个阶段即在热力学可行的条件下固相反应的发生起始于两个反应物分子的扩散接触接着发生化学作用,生成产物分子当产物分子集积到一定大小才能出现产物的晶核从而完成成核过程;随着晶核的长大达到一定的大小后便出现产物的独立晶相[6] 。本文通过充分混合研磨反应物ZnSO4·7H2O 与Na3PO4·12H2O 中的结晶水释放出来在反应物表面形成液膜使部分反应物溶解溶解的反应物在液膜中有较快的传质速度增大了反应物分子间的扩散接触因而能加快固相反应的进行。另外反应物在充分混合研磨过程中反应微粒间互相碰撞迅速成核由于固相反应中离子通过各物相的扩散速度相对于溶液中要慢得多结果晶核不能迅速生长根据结晶学原理若成核速度快而生长速度慢易生成粒径小的产物。 本文在室温固相法合成磷酸锌中引入表面活性剂,适量的表面活性剂能有效地降低小粒子的表面能,抑制粒子的团聚现象,有利于得到尺寸较小的粒子。实验发现,加入适量的表面活性剂,可改善产物的分离,烘干后所得到的磷酸锌粉末比较蓬松。Al2O3 各5 mg。升起加热炉，逆时针方向旋转到左侧。用热源靠近差热电偶的任意一热偶板，若差热笔向右移动，则该端为参比热电偶板，反之，为试样板。用镊子小心将样品放在样品托盘上，参比放在参比托盘上，降下加热炉（注意在欲放下加热炉的时候，务必先把炉体转回原处，然后才能放下炉子，否则会弄断样品架）。 （2）打开差热仪主机开关，接通冷却水，控制水的流量约在300 ml/min左右。 （3）打开平衡记录仪开关，分别将差热笔和温度笔量程置于20 mV和10 mV上，走纸速率置于 30 mm/min量程。 调节差热仪主机上差热量程为250oC。 （4）将升温速率旋在0刻度，用调零旋纽将温度笔置于差热图纸的最右端，差热笔置于中间，将升温速率旋至10oC /min，放下绘图笔转换开关。 （5）按下加热开关，同时注意升温速率指零旋纽左偏（不左偏时不能进行升温，需停机检查）。按下电炉开关，进行加热，仪器自动记录。 （6）等到绘图纸上出现一个完整的差热峰时，关闭电炉开关。按下程序零旋纽和电位差计的开关，旋起加热炉，用镊子取下坩锅。将加热炉冷却降温至70oC以下，将预先称好的(-Al2O3和KNO3试样分别放在样品保持架的两个小托盘上，在与锡相同的条件下升温加热，直至出现两个差热峰为止。 （7）按照上述步骤，每个样品测定差热曲线两次。 （8）实验结束后，抬起记录笔，关闭记录仪电源开关、加热开关，按下程序功能“0”键，关闭电源开关，升起炉子，取出样品，关闭水源和电源。 六、数据处理或图谱分析（选做） 纳米粒子的粒径可由Scherrer（谢乐)公式求