大学物理实验 工业和信息化普通高等教育“十二五”规划教材立项项目 作者 孙宇航 实验21 PN结正向压降与温度的关系.pptVIP

PN结正向压降与温度的关系 物理实验教学中心 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 实验背景 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区，称为PN结，PN结具有单向导电性。 一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质的是P型半导体，另一部分掺有施主杂质的是N型半导体，P型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区域即PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 P型半导体：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴。 N型半导体：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。 实验目的 ① 了解PN结正向压降随温度变化的基本关系。 ② 在恒流供电条件下，测绘PN结正向压降随温度变化的曲线，并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。 ③ 学习用PN结测温度的方法。 实验仪器 TH-J型PN结UF-T特性实验台、TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪、温度