电源类芯片选型指南.docVIP

MOSFET驱动器 TPS28225DR 特征： 8引脚高频4-amp库同步MOSFET驱动器 广泛的门驱动电压4.5V至8.8V 最好的效率8V 宽功率系统输入电压：3v到27v 宽输入PWM信号：2.0v到13.2v振幅 能够驱动MOSFET开关的电流=每相40A 高频操作：14ns传播延迟和10ns的上升/下降时间允许FSW - 2MHz 可小于30 ns输入PWM脉冲的传播 低侧驱动器接收器电阻（0.4?）防止相直通电流DV / DT三态PWM输入关闭功率级节省空间的启用（输入）和电源良好（输出）在相同的引脚信号 经济的SOIC - 8和热增强3毫米x 3毫米DFN 8包高性能的替代流行的三态输入驱动器 多相DC-DC转换器的模拟或数字控制桌面和服务器Vrms和evrds笔记本电脑/笔记本对于互补驱动MOSFET同步整流驱动器多相同步降压转换器 ESD额定值，ESD额定值，HBM的ESD额定值，耗散评级表经营虚拟结温范围TPS40210, 适用于升压，反激式，SEPIC，和LED Driver Topologies 驱动器拓扑 4.5 V至52 V振荡器频率可调 固定频率电流模式控制 内部斜率补偿集成的低侧驱动器 可编程闭环软启动过流保护 700 mV参考（tps40210）低电流禁用功能TPS40210 COMP = FB, 4.5 ≤ VVDD ≤ 52 V, TJ = 25?C min 693 typ700 max707 VVDD输入电压范围 4.5 到 52 V 4.5 ≤ VVDD ≤ 52 V, 没有开关, VDIS 0.8 1.5 到2.5 mA IVDD 工作电压范围 2.5 ≤ VDIS ≤ 7 V 10 到20 ?A VVDD VUVLO(on), VDIS 0.8 小于530 ?A 欠压锁定 VUVLO(on) 打开阀值电压 4.00 4.25 4.50 V VUVLO(hyst) UVLO滞后 140 195 240 mV 振荡器 振荡器频率范围 30 1000khz 振荡器频率 RRC = 182 kΩ, CRC = 330 pF 260 300 340 VSLP 斜率补偿范围 520 620 720 mV PWM 最小脉冲范围 VVDD = 12V(1) 275 400 ns VVDD = 30V 90 200 ns tOFF(min) 最小关机时间 170 200 ns VVLY 谷值电压 1.2 V VSS(ofst) 补偿电压 from SS pin to 误差放大器 input 700 mV 软启动充电电阻 320 430 600 kΩ 软启动充电电阻 840 1200 1600 kΩ 单位增益带宽积1.5 3.0 MHz 开环增益 60 80 dB 输入电流 100 300 nA 灌电流 VFB = 0.6 V, VCOMP = 1 V 100 250 ?A VISNS(oc) 过流阀值ISNS pin) 4.5 ≤ VDD 52 V, -40?C ≤ TJ ≤ 125?C 120 150 180 mV PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT CURRENT SENSE AMPLIFIER ACS 当前的读出放大器增益4..2 5.6 7.2 V/V IB(ISNS) 输入偏流 1 3 ?A DRIVER IGDRV(src) 门驱动源电流VGDRV = 4 V, TJ