硅微通道结构释及整形技术研究.pdfVIP

摘 要 本论文进行的工作是在硅微通道结构释放技术方面，以不同质量分数的TMAH溶液 对硅背部进行腐蚀，从实验结果中分析了不同质量分数的TIVlAH溶液中硅的腐蚀速率以 及不同质量分数的TIVlAH溶液中硅腐蚀后的表面平整度，从而证明了用湿法腐蚀技术进 行硅微通道背部减薄是可行的，腐蚀速率也是比较容易控制的：在不同质量百分比的 TlVlAH溶液中，结构释放后硅表面的平整度也是不同的。在硅微通道整形技术方面，通过 设计特殊的光刻掩模板从而锁定硅表面的特定区域，用台阶仪测量了三种表面晶向的 硅，从而测得了三个晶向的腐蚀速率，测量的条件选用了不同的温度和不同的TMAH质 量百分比的腐蚀液。而后设计了整形实验，利用硅在TMAH溶液中的各向异性腐蚀特性， 依据测得的硅的三个晶向的腐蚀速率，选定了实验条件，在不同TMAH质量分数的溶液 中对硅微通道板进行了整形。从而证明了电化学刻蚀后的硅微通道板的形貌是可以通过 湿法腐蚀这～工艺进行整形的，并且这一过程在一定范围内也是可以在控制的 关键字： 硅微通道结构释放整形TMAH腐蚀 Ill ABST