非光学光刻.pptVIP

这种 X 射线源的亮度最强，效率较高，一台 X 射线源可以支持多达 16 台曝光设备。 但这种 X 射线源极其庞大昂贵，电子同步加速器的直径可达五米以上。限制来自磁场方面。如果将来能获得高临界温度的超导材料，则利用超导磁场可建立直径约两米的紧凑型电子同步加速器。此外，这种 X 射线源还存在辐射安全问题。 5 接近式 X 射线系统 由于很难找到合适的材料对 X 射线进行反射和折射， X 射线透镜的制造是极其困难的，因此只能采用 接近式曝光方式。为使由点光源发射的 X 射线尽量接近平行光，应使光源与掩模的距离尽量远。对于大规模集成电路的制造来说，由于受到掩模尺寸的限制，只能采用步进的接近方式。 光刻用的 X 射线波长约为 1nm，可以忽略衍射效应。影响 X 射线分辨率的主要因素是由于 X 射线源不是严格的点光源而引起的 半影畸变，和由于 X 射线的发散性而引起的 几何畸变。 靶 电子束 X 射线 掩模版 硅片 抽气 1、半影畸变 2、几何畸变 要使δ 和 ?max 减小，应增大 D 或减小 S 。但太大的 D 值会减小 X 射线的强度。另外，由于几何畸变的影响要比半影畸变的大，可以采用步进的方法来减小每步曝光的视场尺寸 W ，从而减小几何畸变 ?max ，