原子层淀积金属化物阻变存储器件研究.pdf

复旦大学博士论文 摘要 摘要 随着闪存技术即将达到尺寸极限而面临无法等比例缩小的问题，一种基于材 料电阻转变特性的电阻式存储器(RRAM)由于其结构简单、可缩微能力强、高 速、高密度、可三维集成以及与CMOS工艺良好的兼容性等诸多优点，被研究 者们广泛关注。研究已经发现了很多具有阻变特性的介质薄膜材料，然而在材料 选择、制备工艺，以及器件阻变存储机理等方面还有很多问题值得探讨。为此， 本文开展了系统的研究。一方面，用原子层淀积(atomiclayerdeposition)方法制备 了多种具有阻变特性的金属氧化物介质，在材料制备、工艺优化、器件阻变存储 特性、阻变微观机制上做了系统研究；另一方面，针对RRAM器件所呈现出的 性能不稳定，提出了几种行之有效的优化和解决方法。 本文首先研究了近期业界广泛关注的Hf02、La203、Nb205介质材料，系统 探索了原子层淀积Hf02、La：03、Nb205三种氧化物的工艺条件，分析了其材料 特性，并制备了基于这些材料的可与CMOS工艺兼容的RRAM器件。研究表明：