考虑时序关键路的布线后双重图案光刻层分配算法研究.pdfVIP

摘要 摘 要 作为第三次产业革命的一块重要基石，在过去的半个多世纪中，集成电路工 业飞速发展。集成电路芯片集成度按照摩尔定律的预测不断提高，工艺节点持续 下降，并且由于研究人员的不断努力，进入新世纪后这一趋势仍然得以保持。但 是，由于电路特征尺寸已经越来越接近物理极限，这一前进脚步已经变得缓慢， 其中一项重要标志就是光刻胶的边缘解析度在45纳米工艺节点下开始变得模糊 不清。为了突破集成电路生产过程中光刻阶段的这一瓶颈，相应地出现了以超紫 外线曝光光源、高折射率液体浸润式光刻和双重图案光刻技术为代表的制造工艺 改进，以及为双重图案光刻服务的双重图案划分这一设计方法学革新。随着集成 电路设计方法学逐步转入以可制造性设计为中心的第三代设计方法，如何更好地 进行双重图案划分，开始得到学术界越来越多的重视。 在双重图案光刻过程中，同一版图上的版图图案被分为两组依次进行曝光， 使得原本临近的图案处于不同掩膜版上，以达到减小掩膜版相邻窗口间光照干涉 效应的最小化，进而提高光刻阶段曝光图案密度的目的。而双重图案划分方法需 要解决的问题是如何通过版图图案的切割和掩膜版分配，使得结果中无解双重图 案冲突数目和由版图图案