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* * 化学位移示例 Mo(110)面俄歇能谱 * 二、俄歇电子能谱仪 主要组成部分：电子枪、能量分析器、二次电子探测器、（样品）分析室、溅射离子枪和信号处理与记录系统等。 样品和电子枪装置需置于10-7~10-8Pa的超高真空分析室中。 俄歇谱仪示意图 * 四、俄歇电子能谱分析 1．定性分析 任务：根据实测的直接谱(俄歇峰)或微分谱上的负峰的位置识别元素。 方法：与标准谱进行对比。 注意：由于电子轨道之间可实现不同的俄歇跃迁过程，所以每种元素都有丰富的俄歇谱，由此导致不同元素俄歇峰的干扰。 对于原子序数为3~14的元素，最显著的俄歇峰是由KLL跃迁形成的；对于原子序数14~40的元素，最显著的俄歇峰则是由LMM跃迁形成的。 * 五、俄歇电子能谱的应用 优点： ①固体表面分析法：能量为50eV~2keV的俄歇电子，逸出深度为0.4~2nm。深度分辨率约为1nm，横向分辨率取决于入射束斑大小。 ②可分析除H、He以外的各种元素。 ③对于轻元素C、O、N、S、P等有较高的分析灵敏度。 ④可进行成分的深度剖析或薄膜及界面分析。 * 局限性 ①不能分析氢和氦元素； （为什么？） ②定量分析的准确度不高； ③对多数元素的探测灵敏度为原子摩尔分数0.1%~1.0%； ④电子束轰击损伤和电荷积累问题限制其在有机材料、生物样品和某些陶瓷材料中的应用； ⑤对样品要求高，表面必须清洁(最好光滑)等。 * 2. 光电子能谱图 光电子能谱(图)：光电子产额(光电子强度)对光电子动能或电子结合能的分布(图)。 光电子产额通常由检测器计数或计数率(单位时间的平均计数)表示。 Ag的光电子能谱图（MgK?激发） 光电子动能 以被激出电子原来所在能级命名，如3S、3P1/2、3P3/2等为Ag之M层电子激出形成的光电子谱线(峰) 主峰或特征峰 伴峰 俄歇电子峰、多重态分裂峰等 * 3．化学位移 因原子所处化学环境不同，使原子芯层电子结合能发生变化，则X射线光电子谱谱峰位置发生移动，称之为谱峰的化学位移。 原子价态的变化导致Al的2p峰位移 带有氧化物钝化层的Al的2p光电子能谱图 * X射线光电子标准谱图示例 * 应用实例 (C3H7)4NS2PF2的XPS谱图 除氢以外，其它元素的谱峰均清晰可见。 图中氧峰可能是杂质峰，或说明该化合物已部分氧化。 * 3．化学结构分析 通过谱峰化学位移的分析不仅可以确定元素原子存在于何种化合物中，还可以研究样品的化学结构。 1，2，4，5-苯四甲酸；1，2-苯二甲酸和苯甲酸钠的C1s光电子谱图 这些化合物中的碳原子分别处于两种不同的化学环境中(一种是苯环上的碳，一种是羧基碳)，因而它们的C1s谱是两条分开的峰。 谱图中两峰的强度比4:6、2:6和1:6恰好符合3种化合物中羧基碳和苯环碳的比例。 由此种比例可以估计苯环上取代基的数目，从而确定其结构。 *