计算机组织与结构-第三章第二讲new.pptVIP

第二节 随机读写存储器 RAM技术 DRAM -Dynamic RAM——动态存储器 SRAM -Static RAM——静态存储器 EDO RAM -Extended Data Out RAM——外扩充数据模式存储器 EDO DRAM采用一种特殊的内存读出电路控制逻辑，在读写一个地址单元时，同时启动下一个连续地址单元的读写周期。从而节省了重选地址的时间。 SDRAM-Synchronous DRAM——同步动态存储器 与CPU共享一个时钟周期 基于双存储体结构 DDR SDRAM （Double Data Rate SDRAM） DDR SDRAM就是双倍数据传输率的SDRAM。SDRAM只在时钟周期的上升沿传输数据。而DDR内存的数据线有特殊的电路，可以让它在时钟的上下沿都传输数据。 第三节 只读存储器和闪速存储器 一．只读存储器 1.掩膜式MROM 厂家在生产时就写入信息，用户不能修改的存储器芯片。 2. 可编程PROM 存储器芯片的信息由用户编程写入，但不能擦除再写的存储器芯片。 3. 光擦可编程EPROM 　　写入后可用紫外光擦除，再编程写入的存储器芯片。 二. Flash Memory 闪速存储器 是一种高密度，非易失性的半导体读/写存储器。 地址线的连接:地址总线传输被访问的存储单元的地址信号 　 数据线的连接:数据总线传输被访问的存储单元的数据信号 　 控制线的连接:控制总线传输读/写信号和其他控制信号 CPU与存储器的连接时应注意的问题 1．CPU总线的带负载能力 2．CPU的时序与存储器的存取速度之间的配合 3．存储器的组织、地址分配与片选问题 2）字扩展法--用存储容量较小的芯片组成容量较大的存储器时，需采用字扩展法进行扩展。即采用多片串联的方法，扩大容量。 　　　　　　 （3）字位同时扩展法--用容量为L×K位的存储芯片设计容量为M×N位的存储器（l＜M，k＜N），需要字向、位向同时进行扩展。共需存储芯片数为：( M / L ) × ( N / K ) 《计算机组织与结构》——3.4 高速存储器 《计算机组织与结构》——3.4 高速存储器 3.4.1 多体并行存取 存储器中的多个存储体同时进行存取,每个存储体可以单独编址。被访问单元由各体自己的地址寄存器指出。同时读出或写入的多个数据可以分时的通过总线与CPU或I／0联系。 《计算机组织与结构》——3.4 高速存储器 图为一个四体存储结构。对于各个体访问的地址，是由主存控制部件安排。这种结构因为对应每个体都有一套地址部件与数据读写部件，使用设备量比较大。为此，在内容存入时，就采取不同体放不同的内容（程序和数据存放在不同体内），以减少访问的失效率。 《计算机组织与结构》——3.4 高速存储器 3.4.2 多体交叉存取 将存储器分为M个存储体，统一编址; 可采取同时启动（访问），每个体有独立的寻址译码及读出电路。也可采取分时启动（访问），互相错开T/M个存储周期，称为交叉存取; 多个存储体可共用一套寻址译码及读出电路。 《计算机组织与结构》——3.4 高速存储器 3.4.2 多体交叉存取 高位交叉：连续地址单元分布在同一存储体内。按地址的高位部分将存储器划分为几块。（如右图，按高两位将存储器划分为4块）。 《计算机组织与结构》——3.4 高速存储器 3.4.2 多体交叉存取 低位交叉：相邻地址分布在相邻存储体内。按地址的低位部分将存储器划分为几块。（如右图，按低两位将存储器划分为4块）。 《计算机组织与结构》——3.4 高速存储器 3.4.2 多体交叉存取 低位交叉：4体交叉编址序列。 《计算机组织与结构》——3.4 高速存储器 3.4.2 多体交叉存取 4个存储体分时启动（访问）与时间关系如下： 《计算机组织与结构》——3.4 高速存储器 《计算机组织与结构》—— 第三章 存储系统 《计算机组织与结构》——第三章 存储系统 第三章 存储系统 3.1 存储系统概述 3.2 随机读写存储器 3.3 只读存储器和闪速存储器 3.4 高速存储器 3.5 Cache存储器 3.6 虚拟存储器 3.7 存储保护 3.8 辅助存储器 《计算机组织与结构》——3.2 随机读写存储器 《计算机组织与结构》——3.2 随机读写存储器 《计算机组织与结构》——3.2 随机读写存储器 《计算机组织与结构》——3.2 随机读写存储器 DDRII 在基本架构方面和DDR SDRA