半导体芯片制造技术5.ppt

第五章 薄膜制备 烷氧基硅烷分解法 烷氧基硅烷分解法是一种含有硅与氧的有机硅化物，通常使用四乙氧基硅烷，本身在室温下为液体，使用时要加热(40～70OC)以提高其饱和蒸气压，分解成为SiO2层。 硅烷分解法 硅烷分解法是将硅烷在氧气气氛中加热，反应生成二氧化硅，沉积在晶圆上，这种方法生成的氧化膜质量较好，生长温度也较低。 2.Si3N4薄膜 Si3N4是一种在半导体器件及集成电路制作工艺中常见的薄膜，主要用作SiO2的刻蚀掩膜。由于Si3N4不易被氧所渗透，这层掩膜还可以在进行场氧化层制作时，作为防止晶片表面的活动区域被氧化的保护层。除了这种应用外，因为Si3N4对于碱金属离子的防堵能力也很好，且不易被水气分子所渗透，实验广泛地用作半导体器件集成电路的保护层。制作Si3N4采用LPCVD和PECVD均可。 3.多晶硅薄膜 利用多晶硅替代金属铝作为MOS器件的栅极是MOS集成电路技术的重大突破之一，它比利用金属铝作为栅极的MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注入，使MOS集成电路的集成度得到很大提高。多晶硅是在低压反应炉中(600～650OC)用硅烷热分解而得到的。 第三节 物理气相沉积法制备薄膜 物理气相沉积（PVD）是以物理方式进行薄膜沉积的一种技术，金属薄膜一般都是用这种方法沉积的。PVD主要有三种技术：真空蒸发、溅射以及分子束外延生长。 1.真空蒸发 在早期，金属薄膜都是通过物理蒸发沉积形成的。目前真空蒸发技术一般被用在分立元件或较低集成度电路的金属沉积上。 真空蒸发就是在真空室中，把所要蒸发的金属加热到相当高的温度，使其原子或分子获得足够的能量，脱离金属材料表面的束缚而蒸发到真空中，沉积在基片表面形成一层薄的金属膜。 2.溅射 溅射是利用等离子体轰击被溅射物质使其原子或分子逸出，沉积到基片表面形成薄膜的一种物理气相沉积方法。溅射具有以下优点：可实现大面积基片膜层的均匀沉积；膜的厚度、台阶覆盖能力等特性的可控性好；可不改变合金成分进行薄膜沉积；可通过溅射清除掉基片表面的沾污的自然氧化层。 在真空反应室中，由镀膜所需的金属构成的固态厚板被称为靶材(target)，它是电接地的。向高真空反应室内通入放电所需的惰性气体；在高空电场作用下使气体放电，产生大量离子；离子在电场作用下加速能量升高，以高速去轰击靶材料；离子的动能高于材料的原子、分子结合能，使靶材料的原子或分子逸出；逸出的原子或分子飞向基片，在基片表面沉积成膜。 3.分子束外延生长 在高超真空系统中，加热薄膜组分元素，使之形成定向分子束流，将分子束流射向具有适当温度的衬底，沉积于衬底表面形成薄膜的一种物理沉积方法。其突出的优点在于能生长极薄的单晶膜层，能精确控制膜厚、组分和掺杂。 第四节 金属化及平坦化 金属化，就是通过真空蒸发或溅射等方法形成金属膜，然后通过光刻、刻蚀，把金属膜的连接线刻画形成金属膜线，这是构成器件功能的关键。 平坦化就是将晶圆表面起伏不平的介电层加以平坦的工艺。经过平坦化处理后的介电层无悬殊的高低落差，这样，很容易进行接下来的第二层金属内连线制作，而且导线图案比较准确。 一、金属化 若只是简单的将金属和半导体连接在一起，接触区就会出现整流效应，这种附加的单向导电性，使得晶体管或集成电路不能正常工作。要使接触区不存在整流效应，就是要形成欧姆接触。 * * 半导体器件制备过程中要使用多种类型的薄膜来达到特定的作用，包括介质膜、半导体膜、导体膜以及超导体膜等。 介质膜：SiO2、Al2O3、TiO2、Fe2O3、PSG、BSG、Si3N4 半导体：Si、Ge、GaAs、GaP、AlN、InAs、V2O3 导体：Al、Ni、Au、Pt、Ti、W、Mo、WSi2、掺杂多晶硅 超导体：Nb3Sn、NbN、Nb4N5 制备薄膜常用的方法有氧化、化学气相沉积以及物理气相沉积等。 第一节 氧化法制备二氧化硅膜 硅暴露在空气中，即使在室温条件下，在表面也能长成一层有40 ?左右的二氧化硅膜。这一层氧化膜相当致密，同时又能阻止硅表面继续被氧原子所氧化，而且还具有极稳定的化学性和绝缘性。正因为二氧化硅具有这样的性质，根据不同的需要，人们制备二氧化硅，用来作为器件的保护层和钝化层，以及电性能的隔离，绝缘材料和电容器的介质膜等。 一、二氧化硅性质 1.物理特性 氧化方法 密度 （g/cm3） 电阻率 （Ω·CM） 介电常数 介电强度（106V/cm） 干氧 2.24～2.27 3×1015～2×1016 3.4(10KHz) 9 湿氧 2.18～2.21 3.82(1MHz) 水氧 2.00～2.20 1015～1017 3.2(10KHz) 6.8～9 热分解沉积