无机合成化学5.ppt

⑷ 增强反应沉积 等离子增强反应沉积是由于等离子体中正离子、电子和中性反应分子相互碰撞，可以大大降低沉积温度。硅烷和氨气反应通常在约850℃反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应情况下，只需要约350℃左右就可以生成氮化硅。 通常要在300℃左右的底衬表面上发生的反应，采用激光束平行射于衬底表面后（激光束与衬底表面的距离约1mm），结果处于室温的衬底表面上就会沉积出一层光亮的钨膜: ℃ 李明伟等采用等离子增强热丝CVD技术，以多晶镍为催化剂热解乙炔气得到了碳纳米管阵列。 生长在多晶镍膜上的碳纳米管阵列 5.2.4 装置 ①气源控制部件;②沉积反应室;③沉积温控部件;④真空排气和压强控制部件等部分组成。在等离子增强型或其他能源激活型CVD装置，还需要增加激励能源控制部件。 砷化镓气相外延装置示意图 三氯硅烷氢还原生产半导体超纯硅的工业装置示意图 5.2.5 CVD合成技术的应用 现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料，这些功能材料必须是高纯的，或者是在高纯材料中有意地掺入某种杂质形成的掺杂材料。显然，前面所讲的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求，也难以保证得到高纯度的产品。化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是Ⅲ~Ⅴ、Ⅱ~Ⅳ、Ⅳ~Ⅵ族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的沉积过程精确控制。 ⑴ 沉积生成碳化物/氮化物 ① 高温气冷堆包覆燃料颗粒阻挡层材料是SiC。最早由Reynolds在1974年用CVD法制成。最近刘超等通过控制蒸发器加热温度和载气流量使其装置可以实现ZrCl4蒸气的定量载带,为ZrCl4蒸气法沉积ZrC涂层提供了设备基础。 ② 唐见波等以H2 、N2和CH4气体为前驱气体,通过等离子体化学气相沉积技术制备氮化碳薄膜。实验结果表明：沉积的薄膜中含有晶态的C3N4 ,碳氮原子比接近于理论值0.75 ,样品中碳氮原子多以C═N、C—N 的形式存在;样品中氮元素的含量随着反应气体中N2含量的增加而增加;放电功率的增大使薄膜的沉积速率增大 ③ 付志强等进行了化学气相沉积法制备SiC/SiO2梯度复合涂层的热力学分析。分析结果表明:载气中加入足够的氢气对制备不含杂质的SiC/SiO2复合涂层很有必要;合适的沉积温度为1100~1200℃;最佳反应物浓度为:SiCl4摩尔分数为1%~2% ,沉积SiC 涂层时CH4与SiCl4的物质的量之比为1 ,沉积SiO2涂层时水蒸气与SiCl4物质的量之比为2 ,通过逐渐改变CVD气氛中的水蒸气与CH4的比例来沉积SiC/SiO2梯度过渡层。 ④ 段来根等在实验和理论分析的基础上,利用化学气相沉积技术在工具钢和模具钢基体表面沉积TiN薄膜,以提高模具表面强度和耐磨性。 ⑤ 尹博文等采用等温等压化学气相沉积技术，分别以CH3SiCl3-H2和SiCl4-CH4-H2为气源，在沉积温度1100 ℃和1000℃、压力101 kPa 条件下，制备了SiC薄膜。结果表明，1100℃时，以CH3SiCl3-H2为气源沉积得到纯净的SiC薄膜，以β-SiC(111)面择优定向生长，由微米级的金字塔锥形结构组成，硅含量随着沉积温度降低而增加；以SiCl4-CH4-H2为气源沉积得到非晶态碳掺杂的SiC薄膜，碳含量随着沉积温度降低而增加。此外，以CH3SiCl3-H2为气源沉积的SiC-颗粒平均粒径均比以SiCl4-CH4-H2 为气源的粒径大。 ⑥ T. Xie等在管式炉中于1250℃下，以硅片和N2为反应物成功地合成了α-Si3N4纳米线状陶瓷材料。 α-Si3N4纳米线的SEM和TEM照片 ⑵ 沉积生成金属或合金 ① 魏燕等综述了CVD技术制备高温抗氧化涂层—铂族金属(Pt、Ir)涂层及难熔金属(W、Mo、Ta、Nb、Re)的方法。 ② 马捷等以WF6和H2为原料，粉末冶金钨板为基体，采用热丝开管气流化学气相沉积试验装置，成功地制备出可变形钨锭。 ③ 卢凤喜等撰文介绍了日本专用化学气相沉积法生产6.5%Si硅钢的渗Si生产线,给出了6.5%Si硅钢的主要特性,强调了防止6.5%Si硅钢板边裂的方法(控制边部的Si浓度比中间的Si浓度低）。 ④ Lee等用Fe(CO)5/Co2(CO)8、Fe(CO)5/Cr(CO)6混合蒸气为起始原料，在外磁场作用下，于300~400℃