《碳化硅MOSFET桥臂电路串扰抑制方法-论文》.pdfVIP

第 34卷 第5期 电工 电 能 新 技 术 Vo1．34，No．5 2015年 5月 AdvancedTechnologyofElectricalEngineeringandEnergy Mav2015 碳化硅 MOSFET桥臂 电路串扰抑制方法 钟志远，秦海鸿，袁 源，朱梓悦 ，谢昊天 (江苏省新能源发 电与 电能变换重点实验室，南京航空航天大学，江苏 南京210016) 摘要：与硅MOSFET相 比，碳化硅 MOSFET更加有利于满足变换器高效率、高功率密度和高可靠性 的发展要求。然而在桥臂电路 中，上下管之间的串扰 问题严重限制 了碳化硅 MOSFET性能优势的 发挥 。本文在分析 了串扰问题产生机理的基础上，采用了一种改进 的基于 PNP三极管的有源密勒 箝位方法，对串扰进行 了有效抑制，并搭建了双脉冲测试平台进行实验验证。实验结果表 明，改进 的方法能够获得较好的串扰抑制效果，对碳化硅 MOSFET的驱动 电路设计具有一定指导意义。 关键词：碳化硅 ；桥臂 电路；串扰抑制；有源密勒箝位 中图分类号 ：TN713．4