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2016-01-03 发布于贵州
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3 器件设计技术

南京理工大学紫金学院南京理工大学紫金学院 NANJING UNIVERSITY OF SCIENCE TECHNOLOGY ZIJIN COLLEGE 第三章器件设计技术第三章器件设计技术 1 南京理工大学紫金学院南京理工大学紫金学院 NANJING UNIVERSITY OF SCIENCE TECHNOLOGY ZIJIN COLLEGE 第三章器件设计技术第三章器件设计技术本章内容： 3.2 、MOS管的工作原理 ★★ ★★ 3.3 、MOS管的直流特性 ★★★★ ★★★★ 3.4 、反相器的直流特性 ★★★★★ ★★★★★ 2 3.2 MOS管的工作原理 3.2.1半导体表面场效应概念：在垂直于半导体表面的电场作用下半导体表面层中的载流子数目会发生变化，从而使半导体的导电能力发生变化，这种效应称为半导体表面场效应。 3 3.2 MOS管的工作原理 3.2.1半导体表面场效应 1、表面电荷减少金属电极多子空穴少子电子 4 3.2 MOS管的工作原理 3.2.1半导体表面场效应 2、形成耗尽层耗尽层（高阻区） 5 3.2 MOS管的工作原理 3.2.1半导体表面场效应 4、形成反型层层型反 6 3.2 MOS管的工作原理 3.2.3 MOS管的工作原理以N沟道增强型MOS管为例根据MOS管外部偏置电压的不同，MOS管的工作状态可以分为3个工作区，分别是：截止区截止区线性区