第八章 合金脱溶沉淀与时效.pptVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第八章 合金脱溶沉淀与时效.ppt

第八章 合金的脱溶沉淀与时效 一、概念 二、合金脱溶过程 三、脱溶热力学 四、脱溶动力学 五、脱溶的分类及显微组织 六、时效硬化机制 七、回归现象(固溶处理) 八、调幅分解 一、概念 时效——时间效应所引起的合金性能变化。 脱溶(时效的实质) ----从过饱和固溶体中析出第二相(沉淀相)或形成溶质原子聚集区以及亚稳定过渡相的过程。属扩散型相变。 二、合金脱溶过程 一般地:G.P区形成 过渡相形成 平衡相形成 G.P区形成:在若干个原子层范围内的溶质原子富集区。 二、合金脱溶过程 一般地:G.P区形成 过渡相形成 平衡相形成 G.P区形成:在若干个原子层范围内的溶质原子富集区。 二、合金脱溶过程 一般地:G.P区形成 过渡相形成 平衡相形成 G.P区形成:在若干个原子层范围内的溶质原子富集区。 过渡相形成 几种时效硬化型合金的析出系列 三、脱溶沉淀过程的热力学 脱溶时的能量变化符合一般的固态相变规律。 脱溶驱动力——新相和母相的化学自由能差, 脱溶阻力——脱溶相的界面能和应变能。 四、脱溶沉淀过程动力学 如图,脱溶沉淀的各个阶段均有独立的C曲线,且已相互交叉在一起。 相变前有孕育期,长短取决于温度 T↗,扩散↗; 过饱和度↘,驱动力↘ 综合使动力学曲线呈C型。 中间过渡相的数目取决于母相的过饱和程度及温度: 过饱和度高,中间过渡相数目多 过冷度大,过渡相多。 五、脱溶的分类及显微组织 连续脱溶 在脱溶过程中,脱溶物附近基体中的浓度变化为连续。 均匀脱溶 析出物均匀分布在基体中的连续脱溶。实际上均匀脱溶很少。 非均匀脱溶 析出物优先在晶界、亚晶界、滑移面、孪晶界面、位错及其它缺陷处。 A.滑移面析出的非均匀脱溶 B.晶界析出的非均匀脱溶 非连续脱溶 在脱溶过程中,脱溶的两相耦合成长,脱溶物附近基体中的浓度变化为非连续。 特征1:析出相从晶界不均匀形核,然后向晶内扩展 第一步:在过饱和α1相中溶质原子首先在晶界处偏聚,并在晶界处脱溶析出β相; 第二步: β相长入母相α0中,并在β相两侧出现原子贫化区α1相 重复第一步和第二步过程。 特征2:析出相呈层片状与相邻贫化区组成类似珠光体团的胞状组织。 特征3:晶界形成胞状物时一般伴随着基体再结晶。 特征4:原子短程扩散 说明: 非连续脱溶过程与珠光体转变相似,但二者本质不同。 非连续脱溶 是析出强化相,且α0 、α1相结构相同; 珠光体转变 中γ、α相结构不相同。 非连续脱溶过程与连续脱溶过程区别: 五、脱溶的分类及显微组织 《金属固态相变原理》P156图7.9 连续脱溶(非均匀脱溶+均匀脱溶) 先发生连续非均匀脱溶,随后发生连续均匀脱溶。析出相均匀分布在与母相结构相同的固溶体中。 非连续脱溶+连续脱溶 先发生非连续脱溶,析出物在晶界集结形成胞状组织,伴有再结晶发生,随后发生连续脱溶,析出相均匀分布在与母相结构相同的性固溶体中。析出物发生粗化和球化。 非连续脱溶 先发生非连续脱溶,析出物在晶界集结形成胞状组织,伴有再结晶发生,析出物发生粗化和球化。 六、脱溶沉淀时的性能变化 六、脱溶沉淀时的性能变化 2、时效硬化机制 内应变强化 由于析出相β与母相α1的点阵结构和点阵参数不同,在析出相周围将产生不均匀畸变区,不均匀应力场; 由于析出相β间距比母相α1的点阵距离增大,使位错大都处于能谷位置,当外力作用时,位错线从能谷位置移到能峰位置将使能量上升而增加变形抗力,强度增加。 2、时效硬化机制 切过析出颗粒强化 当析出相颗粒位于位错线滑移面上,位错线可以切过析出相颗粒而强行通过,引起强化,原因: 位错需要克服析出相颗粒的应力场; 析出相颗粒表面积增大,增加表面能和畸变能 2、时效硬化机制 绕过析出相强化 当析出相聚集长大,析出相间距增大,析出相比较硬时,位错线不能以切过方式通过时,可绕过析出相。 强化机制: WC线弯曲,长度增加,形成新的位错环,均需增加外力做功,表现为强度增加; 留下的位错环对下一根位错通过也产生阻力,引起形变强化。 位错线绕过所需外力τ=2Gb/L L—析出相颗粒间距,L愈小、 τ愈大,强化效果愈强。

文档评论(0)

此项为空 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档