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第六章 物理气相淀积 基本上，集成电路是由数层材质不同的薄膜组成，而使这些薄膜覆盖在硅晶片上的技术，便是所谓的薄膜沉积及薄膜成长技术－－薄膜淀积 淀积：就是指薄膜材料的沉积和生长等技术，指一种材料以物理方式沉积在晶圆表面上的工艺过程。 所淀积的薄膜可以是导体、绝缘材料或者半导体材料。比如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅以及金属（Cu、W） 薄膜特性 好的台阶覆盖能力 填充高的深宽比间隙的能力 好的厚度均匀性 高纯度和高密度 受控制的化学剂量 高度的结构完整性和低的膜应力 好的电学特性 对衬底材料或下层膜好的黏附性 膜对台阶的覆盖 我们期望薄膜在硅片表面上厚度一致，如果淀积的膜在台阶上过渡的变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或在器件中产生不希望的诱生电荷。膜的应力要尽可能的小，因为应力还可能导致衬底发生凸起或凹陷的变形。 高的深宽比间隙可以用深宽比来描述一个小间隙（如槽或孔）深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值 薄膜生长的步骤 1.成核 2.核的生长 聚集成束， 也称为岛生长 3.连续的薄膜 淀积主要有两大类： 化学气相淀积 （Chemical Vapor Deposition：CVD） 物理气相淀积 （Physical Vapor Deposition: PVD） 包括蒸发、溅射 区别在于：反应物的来源是否经过化学变化。 物理气相淀积（PVD） 物理气相淀积(physical vapor deposition)，简称PVD。是指在真空条件下，用物理的方法（即物质的相变过程），将材料汽化成原子、分子或使其电离成离子，并通过气相过程，在材料或工件表面沉积一层具有某些特殊性能的薄膜的技术。 在集成电路中应用的许多金属薄膜或合金材料一般都采用PVD技术制备。 PVD技术的两种基本工艺 蒸镀法(Evaporation)和溅镀法(Sputtering) 蒸镀法（蒸发）：在真空的环境中，用电阻加热或电子束和激光轰击等方法把要蒸发的材料加热到一定温度，使材料中分子或原子的热振动能量超过表面的束缚能，从而使大量分子或原子蒸发或升华，并直接沉淀在基片上形成薄膜。 溅镀法（溅射）：利用气体放电产生的正离子在电场作用下的高速运动轰击作为阴极的靶，使靶材中的原子或分子逸出来而沉淀到被镀材料的表面，形成所需要的薄膜。 此技术一般使用氩等惰性气体，由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。　 物理气相淀积一般是以单质的固体材料作为源（如铝，金，铬等），然后设法将它变为气态，再在衬底表面淀积而成薄膜。 §6.1 蒸 发 在半导体制造的早期，所有金属层都是通过蒸发PVD方法淀积的。为了获得更好的台阶覆盖、间隙填充和溅射速度，在70年代后期，在大多数硅片制造技术领域溅射已取代蒸发。 蒸发由待蒸发的材料放进坩锅，在真空系统中加热并使之蒸发（见下图） 简单的蒸发装置 （1）真空系统 真空反应室，石英或不锈钢容器 （2）蒸发系统 放置蒸发源的装置 （3）加热系统 加热器、速率控制器 蒸发加热的主要方法： (1)电阻加热（铝,金,铬) (2)电子束加热（3000℃, 难熔金属) (3) 激光加热 真空蒸发镀膜最常用的是电阻加热法，以电阻（灯丝、蒸发器）通过发热的原理来加热蒸镀原料，最高蒸发温度达1700℃ 其优点是加热源的结构简单，造价低廉，操作方便；缺点是不适用于难熔金属和耐高温的介质材料。 电子束加热和激光加热则能克服电阻加热的缺点。 电子束加热：利用加速电子碰撞蒸发材料而使其蒸发。蒸发源配有电子腔，利用磁场或电场加速并聚焦电子束，使电子束聚集在蒸发材料的局部而形成加热束斑，束斑温度可达3000～6000℃。电子束的动能变成热能，使材料蒸发。 激光加热是利用大功率的激光作为加热源，但由于大功率激光器的造价很高，目前只能在少数研究性实验室中使用。 常用的几种加热器形状 当系统内残留有1Pa的空气时，每立方厘米存在2.4×1014个气体分子。这些分子会阻碍淀积的金属蒸汽分子由源向衬底的降落淀积，所以PVD之前，必须衬底抽除淀积室内的残留气体，即在低气压开始淀积。 真空状态下气体稀薄程度称为真空度，通常用压力值表示。1958年，第一界国际技术会议曾建议采用“托”(Torr)作为测量真空度的单位。国际单位制(SI)中规定压力的单位为帕(Pa)。我国采用SI规定。 真空度划分区域： 粗真空：760～10 Torr