薄膜制备的物理方法.ppt

第二章 薄膜制备的物理方法 　我们在这一章中将详细介绍物理气相沉积的原理和方法。 物理气相沉积：physical vapor deposition,PVD 物理气相沉积过程可概括为三个阶段: ① 从源材料中发射出粒子; ② 粒子输运到基片; ③ 粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜。 　由于粒子发射可以采用不同的方式，因而物理气相沉积技术呈现出多种不同形式。 2.1真空蒸发 2.2溅射 2.3离子束与离子助 2.4外延生长 2. 真空蒸发系统 真空蒸发系统一般由三个部分组成： （1）真空室，为蒸发过程提供必要的真空环境； （2）蒸发源或蒸发加热装置，放置蒸发材料并对其进行加热； （3）放置基片及给基片加热装置。基板（基片），用于接收蒸发物质并在其表面形成固态蒸发薄膜。 4、蒸发分子的碰撞几率与平均自由程 真空室内存在着两种粒子，一种是蒸发物质的原子或分子，另一种是残余气体分子。 真空蒸发实际上都是在具有一定压强的残余气体中进行的。显然，这些残余气体分子会对薄膜的形成过程乃至薄膜的性质产生影响。 粒子在两次碰撞之间所飞行的平均距离称为蒸发分子的平均自由程。 式中，P是残余气体压强，d是碰撞截面，n为残余气体分子密度。 例如，残余气体压强为10-2帕时，λ=50cm。与真空室尺寸一致，蒸发分子在输送过程中几乎不发生碰撞。 因此，可以说在高真空条件下大部分的蒸发分子几乎不发生碰撞而直接到达基板表面。 3）、残余气体的组成及其影响。 大气的残余物（O2、N2、CO2、H2O），扩散泵油蒸气，真空室吸气，当P≤10-4Pa时，主要为真空室吸气。 ??水汽易与金属膜反应，或与W，Mo等加热器材料反应。 ??在设计优良的系统中，扩散油蒸气不明显。 1.2.4 蒸发源的类型 在蒸发沉积装置中，最重要的组成部分就是物质的蒸发源。 蒸发源是蒸发装置的关键部件，大多金属材料都要求在1000～2000℃的高温下蒸发。因此，必须将蒸发材料加热到很高的蒸发温度。 4．电弧蒸发源 在电弧放电中，将待蒸发的材料制成放电电极。在薄膜沉积时，依靠调节真空室内电极间距的方法来点燃电弧，而瞬间的高温电弧将使电极端部产生蒸发从而实现薄膜的沉积。控制电弧的点燃次数就可以沉积出一定厚度的薄膜。 电弧加热方法既可以采用直流加热法，又可以采用交流加热法。 可以避免加热线或坩埚材料污染，具有加热温度较高的特点，特别适用于熔点高，并具有一定导电性的难熔金属的蒸发沉积。而且，这一方法所用的设备比电子束加热装置简单。 5．激光蒸发源 采用高功率的连续或脉冲激光束作为能源进行薄膜的蒸发沉积的方法被称为激光蒸发沉积法。 显然，这种方法也具有加热温度高，可避免坩埚污染，材料的蒸发速率高，蒸发过程容易控制等特点。 同时，由于在蒸发过程中，高能激光光子将能量直接转移给被蒸发的原子，因而激光蒸发法的粒子能量一般显著高于其他的蒸发方法。 2.2.1 溅射基本原理 2.2.2溅射主要参数 2.2.3 溅射沉积装置及工艺 自20世纪70年代以来，溅射镀膜日益受到重视，并取得重大进展。 溅射镀膜广泛用于制备金属、合金、半导体、氧化物、绝缘介质，以及化合物半导体、碳化物、氮化物薄膜、高Tc超导薄膜等。 　　溅射装置种类繁多，因电极不同可分为二极、三极、四极、磁控溅射、射频溅射等。 直流溅射系统一般只能用于靶材为良导体的溅射， 射频溅射则适用于绝缘体、导体、半导体等任何一类靶材的溅射 磁控溅射是通过施加磁场改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，进而提高电子对工作气体的电离效率和溅射沉积率。磁控溅射具有沉积温度低、沉积速率高两大特点。 一般通过溅射方法所获得的薄膜材料与靶材属于同一物质，但也有一种溅射方法，其溅射所获得的薄膜材料与靶材不同，这种方法称为反应溅射法。即在溅射镀膜时，引人的某一种放电气体与溅射出来的靶原子发生化学反应而形成新物质。 在溅射镀膜过程中，可以调节并需要优化的实验参数有电源功率、工作气体流量与压强、基片温度、基片偏压等。 辉光放电过程中，将产生Ar离子，阴极材料原子，二次电子，光子等。 等离子体 等离子体是一种中性、高能量、离子化的气体，包含中性原子或分子、原子团、带电离子和自由电子。 作用： 1、提供发生在衬底表面的气体反应所需要的大 部分能量 2、通过等离子刻蚀选择性地去处金属 溅射原子与气体原子在等离子体中的碰撞将引起溅射原子的散射，这些被散射的溅射原子以方向无序和能量无序到达阳极。溅射原子因碰撞而无法到达基片表面的几率则随阴极一基片间的距离增加而增加，在压强和电压恒定时，阴极与基片距离较大的系统沉积率较低，薄膜的厚度分布在基片的中心处呈最大值。 溅射基本上是一低温过程，只有小于1%的功率