掺杂聚合物光电特性的分析.pdf

北京兜通大学博士论文：掺束采寺抽克电特性的研先(摘要) 摘要 有机电致发光器件发展非常迅速，成为最有前途的平板显示技术之一。但是 由于有机材料的复杂性和理论的不完善，其中发光机制中有许多问题尚需澄清和 进一步研究。本文针对有机电致发光存在的问题，将研究重点定位于掺杂聚合物 光电特性和聚合物中元激发的研究，采用常规的光电特测量方法并将电致吸收以 及电场调制光谱等测量方法相结合，得到一些有意义的研究结果。 一、掺杂聚合物光电特性的研究 通过不同浓度DCM掺杂PVK发光的测量，研究了DcM发光分子的“溶剂效应” 的影响。实验结果表明随着掺杂浓度的增加发光峰向长波方向移动；同时发光衰 减曲线测量显示DCM掺杂PVK的光致发光衰减有一个“拖尾”，“拖尾”时间随掺 杂浓度的降低增长，这可能由于DCM掺杂和PVK中缺陷能级之间存在能量传递或 电荷转移。 利用电致吸收研究荧光染料掺杂对内建电势的影响。结果表明在电致发光器 件中DCM掺杂不能明显改变PVK器件的内建电势差，而LiF作为金属电极修饰层 可以使内建电势增加0．9eV。 率常数随着温度的增加而增加。研究中我们发现Rubrene掺杂PVK光氧化非常明 度都快，这种光氧化和PVK在紫外光照射下产生的自由基有关。 利用Alq3掺杂PVK增加器件光谱响应范围。光电导研究显示，Alq3掺杂可 以改变器件的光电导的光谱响应范围，但降低了器件的光电导，PVK和Alq3的能 级位置决定Alq3在PVK是以载流子缺陷存在。 二、聚合物中激子的行为 利用电场调制方法研究了PFO光致发光的高场猝灭效应和激予离化。研究结 果显示电场可以有效猝灭PFO的光致发光。通过Onsager模型计算得到产生激子 离化载流子平均跳跃距离是0．68nm。对于不同激发波长，发光的猝灭因子有一 些不同。热激子的存在使得短激发波长对应的发光的猝灭因子较大，但由于热激 子多声子弛豫速率常数远大于激发态跃迁速率常数，热激子影响不是很强。在 北京变通太学*士论文：掺索囊鲁鞠克电特性的碍免(擅要) PLED中发光对电脉冲的响应主要是受器件电容充电的影响，缺陷束缚电荷产生 的电场引起的发光猝灭持续时间可达数百秒。在电场撤消后发光猝灭的下降分快 速恢复和缓慢恢复两个阶段。缺陷束缚的电荷和光生激子相互作用较弱。实验结 果表明。瞬态发光猝灭和电场撤消后发光恢复是研究聚合物发光器件内部电场建 立和电荷积累的好方法。 首次利用电场调制光致发光技术研究了PVK：Ir(PPY)。三线态激子在电场存 在条件下的行为，证明电场诱导发光猝灭主要发生在PVK的分子链，而不是发生 激子离化速率常数要小两个数量级以上。lr(PPY)。激子一旦形成就很难离化。 正向偏压光致发光和电致发光形状光谱研究证实，Ir(PPY)。掺杂PVK体系的电致 子离化过程，发现三线态激子的束缚能较大，不容易被电场离化；澄清了磷光材 料掺杂聚合物一Ir(PPY)掺杂PVK的电致发光机制。 利用激发态寿命测量方法研究了荧光染料和磷光材料共掺杂聚合物(DCM 只和距离最近的DcM分子发生能量传递，验证了3腑十1A一1D+1斛这一能量传 递方式。 关键词：发光、聚合物、PVK、lr(1PY)3、电场诱导发光猝灭、激子离化。 北京交通大学*士论丈：O-奈秉畚糟光电特性的研克(摘要) Abstraet has andbecomeoneof diode lightemitting developedveryquickly Organic has beenmade，there progress majorpanelplatedisplaytechnology．Althoughgreat arest