1.半导体中光子电子的互作用.ppt

第一章 半导体中光子-电子的相互作用 半导体物理基础 1.1 半导体中量子跃迁的特点 1.2 直接带隙与间接带隙跃迁 1.3 光子密度分布 1.4 电子态密度与占据几率 1.5 跃迁速率与爱因斯坦关系 1.6 半导体中的载流子复合 1.7 增益系数与电流密度的关系 小结 半导体物理基础 能带 单个原子——能级 当原子结合成晶体时，原子相互接近→电子壳层交叠→电子不再局限在某一个原子上→电子的共有化运动 内层电子变化不大，仍然是孤立能级，外层电子（价电子）由于电子的共有化运动，导致外层运动轨道容纳的电子个数增多，由于泡利不相容原理，能级→分裂→能带， 能带是由N(固体中原子的个数)个靠得很近的能级组成，准连续。 原子相互靠近→能级分裂→能带 （允带） 允带和允带之间的能量间隔——禁带 较低的能带被价电子填满，较高的能带是空的。对于半导体来说，能量最高的满带称为价带，能量最低的空带称为导带。 导带：接收被激发的电子（半导体） 价带：通常被价电子填满（半导体） Ec：导带底的能量 Ev：价带顶的能量 Eg：禁带宽度，是打破共价键所需的最小能量，是材料特有的重要特性。 导体、半导体、绝缘体的能带论解释 电子和空穴 半导体由于Eg较小，在室温下，由于热激发或入射光子吸收，使得价带中一部分电子跃迁到导带中，一个电子由价带跃迁至导带，就在价带留下一个空量子