金属有机物化学气相沉积反应腔建模和仿真.pdfVIP

摘 要 金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD) 是制备半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种技术。该技术广泛 应用于基于氮化鎵的异质结发光二极管、激光器件、高功率芯片和太阳能电池等领域。 其中MOCVD 反应腔的设计是保证薄膜材料的质量、厚度均匀性的关键因素。 本文首先简要的介绍了国内外MOCVD 反应腔的研究现状，阐述了MOCVD 系统的 组成以及分类，结合两种典型的垂直式和水平式反应腔体的特点，提出了一种具有自主 知识产权的MOCVD 分布缓冲式反应腔体结构。 其次，在基本的流体力学和传热学理论基础上，结合MOCVD 的气相化学反应和表 面化学反应机制，建立了一个多物理场耦合模型来描述MOCVD 反应腔体内的物理化学 现象，采用有限体积法对建立的模型进行数值求解，并根据文献试验数据对所建立的模 型进行了验证。 最后采用建立的MOCVD 反应腔数值模型，对自行设计的MOCVD 分布缓冲式反应 腔体进行模拟分析。依据腔体结构的特点，建立轴对称的模型，通过商业软件采用有限 体积法对反应腔体内的流动、传热、物质输运和化学反应等多物理耦合场进行分析，通 过模拟的方式直接得出反应室内薄膜的生长率。通过改变其中腔体的几何参数，生长工 艺条件对这种分布缓冲式反应腔体进行优化设计，分析设计了几处跟反应腔有关的冷却 设计。利用数值模拟的方法对设计进行分析，缩短了设计周期，降低了设计成本。 关键词：MOCVD 缓冲分布式喷射 薄膜生长率 有限体积法 I Abstract MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) is one of the most promising technologies to fabricate semiconductor device, metal thin film, metal dioxide and the nitride semiconductor. It is widely used in the LED, Laser, High power transistor and Solar cells based the nitride semiconductor. Among the MOCVD components, the MOCVD reactor design is the key factor to guarantee the requirement on the quality and uniformity on the thin film. First, the development of MOCVD in domestic and abroad was briefly introduced. The components of the basic MOCVD system were described. A new novel MOCVD reactor chamber was proposed combined with the two typical common reactors, the vertical reactor and the horizontal reactor. Second, a multi-physical model was modeled to govern the behavior of the reactants in the MOCVD reactor chamber based on the basal fluid dynamics, heat transfer and the chemical reaction of gas phase and surface. The Finite Element Method was em