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MOSFET的特性及其应用 —— 高频、微波基础知识讲座 1. MOSFET的结构和工作原理 N沟道MOS晶体管 结构：如图1所示，它是由金属-二氧化硅-硅三层组成的MOS系统。 工作原理 如图1、图2所示，当VGSVT（阈值电压）时，形成N沟道，此时若外加VDS电压，则漏源极之间有电流（ID）通过，且随VGS增高，N沟道加厚，电阻减小，ID随VGS的增大而迅速增大；当VGSVT时，N沟道消失，ID=0。 MOSFET的四种类型 N沟道增强型MOSFET：当栅源电压VGS=0时（见图2），栅氧化层下面的Si表面层不存在N沟道，只有当VGS≥ VT时，源漏极之间才开始有电流。 N沟道耗尽型MOSFET：如果当栅源电压VGS=0时，在栅氧化层下面的Si表面层内已经形成原始沟道，只要在源漏之间施加很小的电压VDS，源漏之间就有电流通过。其转移特性如图3所示。 P沟道增强型MOSFET：如果采用N型衬底，并在它上面做成两个P+型源、漏扩散区，就成为P沟道MOSFET。注意：VGS和VDS都是负偏置电压，与上述NMOSFET正好相反。图4、5分别为其结构示意和转移特性。由图5看出，当栅源电压|VGS|≥ VT时，P沟道才形成，当外加VDS电压，漏源极之间有电流通过，且ID随|VGS|的增大而增大；当|VGS|≤VT时，P沟道消失，ID=0。 P沟道耗尽型MOSFET：当VGS=0时，栅下面的N型硅表面层就有原始的P沟道存在，只有在栅源之间加上一定的正电压，原始沟道才会消失，使ID=0。其转移特性如图6所示。  四种类型MOSFET的符号如图7所示，符号中的源与漏之间的破折线，表示在VGS=0时，源漏之间不存在导电沟道，为增强型器件；实线表示在VGS=0时，漏源之间已经存在导电沟道，为耗尽型器件。图中箭头方向是表示从沟道到衬底的PN结方向：箭头从衬底指向沟道的表示N型沟道；箭头从沟道指向衬底的表示P型沟道。 MOSFET的特点 功耗低：MOSFET是电压控制器件，不同于双极型晶体管。由于MOSFET在漏源之间隔着两个背靠背的PN结，所以栅源、漏源之间不存在直流通路，几乎在不消耗输入功率的情况下就能维持工作，且功耗很低，这对MOS集成电路具有重要意义。 器件尺寸小：MOS管的尺寸可以做得很小，尤其在集成电路中，一只双极型晶体管所占有的面积能容纳几十只MOS管，这样极大的提高了MOS电路的集成度。 制造工艺简单：MOS管比双极型晶体管简单，易控制、成品率高。 不足之处主要是MOS管的开关速度较慢，工作频率较低，最高频率大约1500MHz。 2. MOSFET的直流低频输出特性 直流输出特性 指当栅源电压一定时，漏源电流IDS随漏源电压VDS的变化规律。N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图8所示，分为四个区域。 非饱和区：位于虚线左侧。VGSVT，IDS随VDS几乎线性变化。(VDSVGS-VT) 饱和区：位于虚线右侧。当VDS增加到一定值后，IDS并不明显的随VDS的增加而增大，可视为电流饱和了。(VDSVGS-VT) 击穿区：图中电流猛增的区域。 截止区：图中VGS≤VT下面IDS=0的区域。 MOSFET晶体管电流-电压特性方程 式中k称为导电因子或k常数，单位为A/V2或mV/V2，k与制造工艺以及沟道中载流子平均迁移率有关。 MOSFET的主要参数 直流参数 漏源截止电流Ioff：当管子处于截止状态时漏源之间仍有很小的漏电流。 饱和漏极电流IDSS：当VDS一定且足够大时，漏极电流的饱和值。 栅源直流输入阻抗Ri：SiO2层的绝缘电阻。当SiO2绝缘层厚度在150nm左右时，Ri≥1012Ω。 导通电阻RON：MOSFET在导通状态时（工作于非饱和区及饱和区），漏源电压VDS与漏源电流IDS的比值。 可见，临界饱和时的导通电阻是非饱和导通电阻的二倍。 漏源击穿电压BVDS：当VDS很大时，PN结的耗尽区变得很宽，势垒电场变得很大，产生雪崩击穿。 栅击穿：当栅源电压和栅漏电压超过一定限度时，会引起氧化膜的击穿，使栅与氧化膜下面的硅发生短路现象。 栅保护：使器件的栅极不致轻易被击穿的方法和措施，如在漏源之间并接二极管等。 低频小信号参数 指频率较低，MOS管的电容效应可忽略且输入信号又较小情况下的参数。主要有以下这些： MOSFET的跨导gm：是表征栅电压控制输出电流变化灵敏度的一个物理量，单位为西门子。 对MOSFET： 漏源输出电导gDS和动态电阻rd： 电压放大系数Kv： Kv表征栅源输入电压变化所引起的漏源输出电压的变化率。 经变换，