模拟电子技术题库(2011.11.12).docVIP

模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9 第一章 半导体器件 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 ，少数载流子应是 。 2、 在N型半导体中，电子浓度 空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度 空穴浓度。 3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变 。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是__________区、_________区、__________区。 5、场效应管分为两大类：一类称为____________，另一类称为____________。 6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为__________或__________。 7、半导体二极管的基本特性是 ____，在电路中可以起_______和_______等作用。 8、_______和________。 9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 运动和少数载流子的________运动。 10、硅二极管的死区电压约为______V，锗二极管的死区电压约为______V。 11、晶体管穿透电流是反向饱和电流的__________倍，在选用晶体管的时候，一般希望尽量__________。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是