模拟电路课件 北航自动化 Unit2.pptVIP

SUBCIRUIT THANKS BSIM3V3模型 BSIM（Berkeley short-channel IGFET model）3V3模型是1995年10月31日由UC-Berkely推出的专门为短沟道MOS场效应晶体管而开发的模型。在BSIM3模型中考虑了下列效应： （1）短沟和窄沟对阈值电压的影响；（6）漏感应引起位垒下降； （2）横向和纵向的非均匀掺杂； （7）沟道长度调制效应； （3）垂直场引起的载流子迁移率下降（8）衬底电流引起的体效应， （4）体效应； （9）次开启导电问题； （5）载流子速度饱和效应； （10）漏／源寄生电阻。 BSIM3V3模型 BSIM3V3包括下列166（3.0版本为174个）个参数： 67个DC参数 13个AC和电容参数 2个NQS模型参数 10个温度参数 11个W和L参数 4个边界参数 4个工艺参数 8个噪声模型参数 47个二极管，耗尽层电容和电阻参数 8个平滑函数参数（在3.0版本中） 电路仿真与SPICE 在电路完成以后，设计者面临的问题是：设计电路是否能够实现预期的功能？电路中各元器件的参数值设置是否合理？这就是所谓验证问题。 对设计电路的验证 传统方法 搭实验装置。 随着集成度的提高，电路