波状基区RC-GCT地工艺研究.pdfVIP

摘要 论文题目：波状p基区RC-GCT 的工艺研究 学科名称：微电子学与固体电子学 研 究 生：王 允 签名： 指导老师：王彩琳 教授 签名： 摘 要 波状基区RC-GCT 是在传统的逆导门极换流晶闸管 （RC -GCT ）的基础上，引入复合 隔离区和波状p 基区形成的新型大功率器件。与传统的RC-GCT 相比，波状基区RC-GCT 能够很大地提高 RC-GCT 的功率容量，增大安全工作区。而复合隔离区结构的工艺更加 简单，容易实现。所以，研究波状基区RC-GCT 新结构的工艺具有重要意义。 本文以4.5kV 波状基区RC-GCT 为例，首先分析波状基区结构特点，提出可行的工 艺实现方法，然后利用器件仿真软件ISE-TACD 对器件的单步工艺和整体工艺进行模拟， 讨论了工艺方法的可行性，并提取了最优的工艺条件，最后给出可行的工艺实施方案。主 要研究内容如下： 第一，简述了波状基区 RC-GCT 结构特点与工作机理，对比分析了新型的pnp-沟槽 复合隔离，与传统的沟槽隔离和横向 pnp